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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
楼主: 李彬219

[求助] 关于LDO调整管

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发表于 2012-5-21 13:22:28 | 显示全部楼层
理论上NMOS当然可以用。但是,这里的传输管如果用MOS管的话,那MOS应该工作在饱和区,要保证Vgs>Vthnmos。那也就是说,输出电压最多为VDDin-Vthnmos。这一方面限制了输出电压,另外也降低了电源的效率。
以上仅为个人愚见。
发表于 2012-5-23 12:58:15 | 显示全部楼层
同解!!!!
发表于 2012-5-26 13:44:36 | 显示全部楼层
学习一下!
发表于 2012-7-18 23:52:59 | 显示全部楼层
假設兩個PASS ELEMENT均工作在飽和區,左側的結構的VDO約等於PMOS的過驅動電壓,一般在200mV一下;在假設PASS ELEMENT的GATE不超過VDD的前提下,右側的結構的VDO至少為一個閾值電壓。左側的叫做LOW DROP-OUT,右側的叫做HIGH DROP-OUT。
顯然,LDO要比HDO的效率高得多,但是HDO仍有很多優點:
1.        穩定性
HDO的輸出阻抗約為1/(gm,n+gmb,n),LDO的輸出阻抗為ro,p,因此,HDO的輸出幾點被推到高頻處,只要誤差放大合理的加以補償,HDO Regulator非常穩定。
2.        面積
HDO使用NMOS管,佔用的DIE AREA更小,NMOS的MOBILITY 是PMOS的三倍左右。
3.        PSRR
4.        負載變化

下邊的這種結構和上圖中的LDO的區別是什麽。

[img][/img]
发表于 2012-7-18 23:54:03 | 显示全部楼层

加图

本帖最后由 xd_HR 于 2012-7-18 23:55 编辑

上图

上图
发表于 2012-7-19 09:46:29 | 显示全部楼层
回复 1# 李彬219
thx
发表于 2012-10-21 01:04:05 | 显示全部楼层
学习一下
发表于 2013-10-16 14:52:03 | 显示全部楼层
不是很懂,有没有高手能在指导指导啊
发表于 2013-10-16 15:45:17 | 显示全部楼层
nmos common-drain  ic 內常使用最內部 lv vdd , 不須要太大 nmos size ,
easy stable ..

15F 看到沒有 off chip  compensation circuit ..
pmos common source 類很容易 unstable ..
同 w/L   pmos rds > nmos ..
发表于 2013-10-16 16:26:59 | 显示全部楼层
回复 1# 李彬219


    可以,但是PMOS压差小,大多数都要PMOS。具有优势。

00654935[1].pdf

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