关于LDO调整管

LoveMay · 发表于 2012-5-21 13:22:28

理论上NMOS当然可以用。但是，这里的传输管如果用MOS管的话，那MOS应该工作在饱和区，要保证Vgs>Vthnmos。那也就是说，输出电压最多为VDDin-Vthnmos。这一方面限制了输出电压，另外也降低了电源的效率。
以上仅为个人愚见。

thmoasmary · 发表于 2012-5-23 12:58:15

同解!!!!

zk314335084 · 发表于 2012-5-26 13:44:36

学习一下！

xd_HR · 发表于 2012-7-18 23:52:59

假設兩個PASS ELEMENT均工作在飽和區，左側的結構的VDO約等於PMOS的過驅動電壓，一般在200mV一下；在假設PASS ELEMENT的GATE不超過VDD的前提下，右側的結構的VDO至少為一個閾值電壓。左側的叫做LOW DROP-OUT，右側的叫做HIGH DROP-OUT。
顯然，LDO要比HDO的效率高得多，但是HDO仍有很多優點：
1. 穩定性
HDO的輸出阻抗約為1/(gm,n+gmb,n)，LDO的輸出阻抗為ro,p，因此，HDO的輸出幾點被推到高頻處，只要誤差放大合理的加以補償，HDO Regulator非常穩定。
2. 面積
HDO使用NMOS管，佔用的DIE AREA更小，NMOS的MOBILITY 是PMOS的三倍左右。
3. PSRR
4. 負載變化

下邊的這種結構和上圖中的LDO的區別是什麽。

[img][/img]

xd_HR · 发表于 2012-7-18 23:54:03

本帖最后由 xd_HR 于 2012-7-18 23:55 编辑

上图

kgspurs · 发表于 2012-7-19 09:46:29

回复 1# 李彬219
thx

ni2121 · 发表于 2012-10-21 01:04:05

学习一下

哈拉拉小菜鸟 · 发表于 2013-10-16 14:52:03

不是很懂，有没有高手能在指导指导啊

peterlin2010 · 发表于 2013-10-16 15:45:17

nmos common-drain ic 內常使用最內部 lv vdd , 不須要太大 nmos size ,
easy stable ..

15F 看到沒有 off chip compensation circuit ..
pmos common source 類很容易 unstable ..
同 w/L pmos rds > nmos ..

电子小天使 · 发表于 2013-10-16 16:26:59

回复 1# 李彬219

可以，但是PMOS压差小，大多数都要PMOS。具有优势。

[求助] 关于LDO调整管

加图

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