关于LDO调整管

LoveMay

理论上NMOS当然可以用。但是，这里的传输管如果用MOS管的话，那MOS应该工作在饱和区，要保证Vgs>Vthnmos。那也就是说，输出电压最多为VDDin-Vthnmos。这一方面限制了输出电压，另外也降低了电源的效率。
以上仅为个人愚见。

thmoasmary

同解!!!!

zk314335084

学习一下！

xd_HR

假設兩個PASS ELEMENT均工作在飽和區，左側的結構的VDO約等於PMOS的過驅動電壓，一般在200mV一下；在假設PASS ELEMENT的GATE不超過VDD的前提下，右側的結構的VDO至少為一個閾值電壓。左側的叫做LOW DROP-OUT，右側的叫做HIGH DROP-OUT。
顯然，LDO要比HDO的效率高得多，但是HDO仍有很多優點：
1.        穩定性
HDO的輸出阻抗約為1/(gm,n+gmb,n)，LDO的輸出阻抗為ro,p，因此，HDO的輸出幾點被推到高頻處，只要誤差放大合理的加以補償，HDO Regulator非常穩定。
2.        面積
HDO使用NMOS管，佔用的DIE AREA更小，NMOS的MOBILITY 是PMOS的三倍左右。
3.        PSRR
4.        負載變化

下邊的這種結構和上圖中的LDO的區別是什麽。

[img][/img]

xd_HR

上图

kgspurs

回复 1# 李彬219
thx

ni2121

学习一下

哈拉拉小菜鸟

不是很懂，有没有高手能在指导指导啊

peterlin2010

nmos common-drain  ic 內常使用最內部 lv vdd , 不須要太大 nmos size ,
easy stable ..

15F 看到沒有 off chip  compensation circuit ..
pmos common source 類很容易 unstable ..
同 w/L   pmos rds > nmos ..

电子小天使

回复 1# 李彬219


    可以，但是PMOS压差小，大多数都要PMOS。具有优势。