在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
123
返回列表 发新帖
楼主: 李彬219

[求助] 关于LDO调整管

[复制链接]
发表于 2013-10-16 19:42:13 | 显示全部楼层
回复 22# 电子小天使
    有沒有 pmos , 不需外面 compensation cap LDO ? on chip不可能有大電容 ,
使用 hi-V DMOS   vcc =5~40v  , internal regulator dvdd =5v    Io_max = 2ma (pulse  switch /Osc circuit have pulse )
vth=-2v

先前是使用 iso nmos VCC 不能輸入太低壓 .
发表于 2013-10-17 10:23:04 | 显示全部楼层
回复 23# andy2000a


   没深入研究过LDO,不知道你什么意思?LDO是线性模型。不是开关。不需要振荡器
发表于 2013-10-17 20:34:27 | 显示全部楼层
因為 asic 內會有一堆 logic gate or 振荡器 ..當circuit  switch 會是 pulse current  ,
  可能會 peak 吃到 2mA
但平時沒有耗太大電 , dymaic loading 是 00.5ma -> 2m (2us 寬) -> 0.5ma  
一般 nmos regulator 還夠穩
但是 使用 pmos 時 ,如果 是抽定電流 那還好
但是 , switch current pulse loading 時會使得 Vout 一下高 一下低,
  dynamic loading 下  pmos + OPA 做好很容易不穩定
這時得須要外加 cap 補償 或是 內部做補償 ,
但是 ic 內  regulator 不是一般 ldo 會推 50~100ma
..都只 1~2ma , pmos 或 電容不可能太大 .
发表于 2013-10-18 18:24:14 | 显示全部楼层
大家都来讨论讨论吧
发表于 2014-2-6 18:46:37 | 显示全部楼层
如果不加大的補償電容,有無方法可解大的"peak current"
发表于 2015-12-8 20:10:49 | 显示全部楼层
不错,学习
发表于 2016-10-29 17:15:32 | 显示全部楼层
如果输入电压相对来说比较高的话,用NMOS完全可以。但是如果输入输出之间压差较小的话,由于NMOS衬偏效应的影响,很容易导致运放输出端PMOS工作于线性区甚至深线性区,这将导致电路异常。
发表于 2016-10-31 14:15:36 | 显示全部楼层
感谢分享资料
发表于 2018-6-29 12:40:22 | 显示全部楼层
可以用NMOS, but gate voltage higher ~~~
发表于 2020-7-7 16:26:49 | 显示全部楼层


您好,请教您个问题,对于Charge Pump+ NMOS  LDO,采用图片的这种结构怎么仿真它的环路增益啊?
20200616A[1].png
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-15 05:17 , Processed in 0.022722 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表