关于LDO调整管

andy2000a

回复 22# 电子小天使
    有沒有 pmos , 不需外面 compensation cap LDO ? on chip不可能有大電容 ,
使用 hi-V DMOS   vcc =5~40v  , internal regulator dvdd =5v    Io_max = 2ma (pulse  switch /Osc circuit have pulse )
vth=-2v

先前是使用 iso nmos VCC 不能輸入太低壓 .

电子小天使

回复 23# andy2000a


   没深入研究过LDO，不知道你什么意思？LDO是线性模型。不是开关。不需要振荡器

andy2000a

因為 asic 內會有一堆 logic gate or 振荡器 ..當circuit  switch 會是 pulse current  ,
  可能會 peak 吃到 2mA
但平時沒有耗太大電 , dymaic loading 是 00.5ma -> 2m (2us 寬) -> 0.5ma  
一般 nmos regulator 還夠穩
但是 使用 pmos 時 ,如果 是抽定電流 那還好
但是 , switch current pulse loading 時會使得 Vout 一下高 一下低,
  dynamic loading 下  pmos + OPA 做好很容易不穩定
這時得須要外加 cap 補償 或是 內部做補償 ,
但是 ic 內  regulator 不是一般 ldo 會推 50~100ma
..都只 1~2ma , pmos 或 電容不可能太大 .

Arvinliu

大家都来讨论讨论吧

maggieya11

如果不加大的補償電容，有無方法可解大的"peak current"

wuzy55555

不错，学习

88王道

如果输入电压相对来说比较高的话，用NMOS完全可以。但是如果输入输出之间压差较小的话，由于NMOS衬偏效应的影响，很容易导致运放输出端PMOS工作于线性区甚至深线性区，这将导致电路异常。

lrr007

感谢分享资料

ralphtwtw

可以用NMOS, but gate voltage higher ~~~

梦随心行

ckseu 发表于 2011-12-29 17:14
Charge Pump+ NMOS

您好，请教您个问题，对于Charge Pump+ NMOS  LDO，采用图片的这种结构怎么仿真它的环路增益啊？