power ring公式

twn2000 · 发表于 2011-12-6 15:30:39

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在论坛里找到了这个关于Power Ring的Ptop = Pbottom = P * W / (W+H) * 0.5公式
0.5是在分子上还是分母上？另外我认为这个Power Ring的宽度应该和VDD的PAD个数也是很相关的

twn2000 · 发表于 2011-12-6 15:37:10

Power ring的宽度和间隔计算方法：
一．宽度
1. 计算出功耗P（各种工具）；
2. 设宽度为W，高为H，功耗为P，则
Ptop = Pbottom = P * W / (W+H) * 0.5;
Pleft = Pright = P * H / (W+H) * 0.5;
3. 每边宽度可以计算为：
W(um) = I / J;
J为电流密度，I(mA)=Pside/V，电流密度可以从厂商提供的工艺库中查到。
4. 金属宽度应该有50%的裕度。
如果chip的功耗是P=1.2w,V=1.2v,宽度W=高H,那么power ring 的W为多大呢？

icfbicfb · 发表于 2011-12-6 17:13:12

太理论了，我没用过，

twn2000 · 发表于 2011-12-7 01:06:26

师傅一般都怎么设置啊？

icfbicfb · 发表于 2011-12-7 13:57:21

看经验啊，在routable的情况下尽可能多打些

结合芯片的功耗和频率，一般再宽也不能超过fat metal的阈值吧，否则要打slot了

xdfghj · 发表于 2012-12-12 17:42:45

回复 5# icfbicfb

你好，我想请问如果是.18工艺一般情况下power ring的宽度是多少啊？是否这个宽度与工艺本身也有关系(在不超过宽线标准的前提下)？如果根据DC综合后的功耗去计算出来宽度为5um,这个值是否可信？可否给出一些您在项目设计过程中确定power ring宽度的标准依据或者说过程啊？谢谢你！

kred · 发表于 2012-12-14 14:10:59

用power network analysis估

yic2000 · 发表于 2012-12-16 13:59:22

该如何做这功率分析啊？用ptpx做？还是encounter的power analyze来做？我只用encounter做的static analyze~

杭州太美丽 · 发表于 2012-12-17 10:53:37

回复 1# twn2000

应该和芯片的功耗有关系的吧，其实CORE RING你可以走的宽些，对于数字部分，频率也不是很高的时候， CORE RING的下边可以放置STD的，所以不太影响面积的了，如果局部有congenstion的话，可以再这个位置控制density就好了

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