在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 8165|回复: 5

[求助] 求教航空航天问题(CMOS器件的击穿问题)

[复制链接]
发表于 2011-11-16 16:31:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
CMOS器件一般在多大电流下就要击穿啦  是不是只有几个毫安啊  所以一般航空航天上用的soi工艺啊  请大神指点
发表于 2011-11-16 23:05:00 | 显示全部楼层
这个要看spice mode,
发表于 2011-11-17 11:07:04 | 显示全部楼层
SOI工艺的最大好处是降低衬底噪声,减少寄生,降低功耗吧
对于击穿这个问题就要看工艺了
发表于 2011-11-21 15:47:04 | 显示全部楼层
热击穿吗?这个用功率衡量比较好一点。如果管子小的话,可以采用10uw/um2来算是不会有问题的
发表于 2011-11-21 16:12:35 | 显示全部楼层
SOI 可以彻底防止latch-up, 不需要well pickup了
 楼主| 发表于 2011-12-17 10:17:24 | 显示全部楼层
回复 6# icfbicfb


   一般是个什么量级的呢 我用华虹0.35的工艺
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 17:09 , Processed in 0.019746 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表