有关电容为什么要放在N阱里面的讨论

firewolf223 · 发表于 2012-2-7 23:36:07

同意8楼观点。用来调低阈值电压的。

liou10dong20 · 发表于 2012-2-8 14:08:23

隔离噪声？给电容带个耳塞？

yuanwolf2008 · 发表于 2012-2-8 14:36:45

学习了。

190993300 · 发表于 2012-3-17 15:53:28

回复 5# xjj4232524

软连接一般是通过非金属/poly 而是由扩散区形成的连接

你可以看一下LVS的规则文件看看上面对这方面的定义

190993300 · 发表于 2012-3-17 15:55:19

电容放在N肼是抵御衬底（SUB）的噪声吧 SUB太脏了我们连金属电容也放在肼中的不仅仅是扩散电容

semico_ljj · 发表于 2012-3-31 20:49:40

noise

jinjinjinjin · 发表于 2012-4-3 18:06:05

电容放到N WELL里面可以隔离PSUB的噪声，难道NWELL里面就没有噪声吗？NWELL不是接高电位，波动也很大，应该也会影响电容吧？各位大大是怎么看？

lixiaojun707 · 发表于 2012-4-3 22:27:23

回复 2# ICLAOUT

还有一种情况;把NMOS放在NWELL做电容的。可以称作ncapnwell，NWELL不需要再接另外的高电位，因为此时S/D已经把NWELL接到固定电位了。这样的电容好处是：NMOS工作在积累区，在栅极电压很低时沟道就已经形成==》电容速度快。
而与之相对的PMOS电容是工作在反型区，速度慢。

xxelement · 发表于 2012-4-5 15:58:51

在硅片上做电容，一般都不准，而且要求的电容值比较高，在阱上面做电容，会形成一个三明治结构的电容，容值会加大。还有一种电容就是poly gate 和 nwell 形成的电容，ND电容。

cool_snake · 发表于 2012-4-12 20:49:05

若是将Nmos做在NWell，则不会形成沟道，完全工作在积累区，其实此时的S/D已经不再做为源或者漏区分了，它们只是Nwell的接触而已，即使只用一端连接也是可以的。也就是楼上说的ND电容，但是此时的电容是工作在相当与P管的积累区，而不是N管的积累区。

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