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[讨论] 有关电容为什么要放在N阱里面的讨论

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发表于 2011-10-30 00:39:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我想请教各位大侠一个问题 :电容为什么要放在N阱里面是出于什么原因呢?噪声的影响吗?
发表于 2011-10-31 15:14:44 | 显示全部楼层
PMOS做的电容,首先那是个P型MOS管,肯定得放N阱里面啊!
其他的电容,好像只见过用N阱环包起的,起隔离或者避免软连接的作用吧。
不知道对不,请大家指正啊,谢谢。。。
发表于 2011-11-2 22:36:00 | 显示全部楼层




    差不多也是这样
发表于 2011-11-4 10:23:38 | 显示全部楼层
回复 2# ICLAOUT


    什么是软连接??????
发表于 2011-11-4 19:01:12 | 显示全部楼层
对软连接的感觉就是:不能连接在一起的期间通过P+衬底连接在了一起。。不知道对不对。
发表于 2011-11-5 17:23:41 | 显示全部楼层
N阱接一个固定的电位 可以起到屏蔽作用,减小电容与衬底间的寄生电容,从而减小对衬底的影响,个人观点。也可以用Ptap围起来,当电容下的衬底电位产生微小波动是,可以迅速通过Ptap接地,减小衬底电位波动。不知道我说明白了么?
发表于 2011-11-5 21:22:49 | 显示全部楼层
回复 5# xjj4232524


    感觉应该是ACTIVE连接了但是金属没连啊?
发表于 2011-11-6 01:19:32 | 显示全部楼层
作用是降低cap的阈值电压,使电容的值在更低阈值电压下就立即变得稳定。因为电容的值不是固定的,和阈值电压有关系。
发表于 2011-12-24 17:18:12 | 显示全部楼层
就是屏蔽噪声
发表于 2011-12-25 09:29:34 | 显示全部楼层
隔离衬底噪声吧
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