有关电容为什么要放在N阱里面的讨论

confiope

若是将Nmos做在NWell，则不会形成沟道，完全工作在积累区，其实此时的S/D已经不再做为源或者漏区分了，它们 ...
cool_snake 发表于 2012-4-12 20:49

                               
登录/注册后可看大图

------------
我同意 你的看法，
MOS 管放在N阱中，如果栅接高电位，
阱和SD接高电位，那么应该是工作在PMOS 管的积累区 。
此时电容值是比较大的，

fengtang2332

请问各位，如果mim电容放在nwell中，那么nwell是接电源还是接地，或者是悬空？谢谢。