Gate Grounded NMOS 器件的ESD 性能分析

erfd · 发表于 2011-10-15 23:46:53

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摘要：
本文基于某0.18μm‐CMOS 工艺制程的1.8V NMOS 器件，从工艺的角度并用TLP 测试系统对
栅极接地的NMOS（GGNMOS）ESD 器件进行比较分析。介绍了SAB 和ESD 注入对GGNMOS
的性能影响。影响GGNMOS ESD 性能的瓶颈是均匀开启性。在GGNMOS 版图等其它特征参
数最优的前提下，采用SAB 能改善其均匀开启性，从而大大改进ESD 性能。GGNMOS 的瞬
态触发电压在7V 左右，不会造成栅氧可靠性威胁，采用PESD 并非必需。

zain · 发表于 2011-10-16 09:25:23

ding,thanks

ysliu168 · 发表于 2011-10-16 11:11:06

good!

linxiulong · 发表于 2011-10-17 10:50:48

ffffdsfdsfsdfsf

liulun · 发表于 2011-10-17 16:45:02

thanks for your sharing

sjx · 发表于 2011-10-17 19:47:44

不会是一张张照片拍下来的吧。

iyahsue · 发表于 2011-10-18 11:12:47

GOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOD

semico_ljj · 发表于 2011-10-18 11:54:05

看看那ESD，PESD不是必须？

semico_ljj · 发表于 2011-10-18 11:56:22

有点疑义。。。

ysliu168 · 发表于 2011-10-18 20:56:34

Thanks!

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[原创] Gate Grounded NMOS 器件的ESD 性能分析

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