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[求助] 两种金属dummy,哪种比较好

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发表于 2011-9-24 00:32:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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dmy.jpg
上面两种金属dummy,哪种比较好?为什么?
据牛人说右边的比较好
dummy.jpg
发表于 2011-9-24 00:40:13 | 显示全部楼层
没见过右边的啊, 45度很容易offgrid,

只看过左边这种的, tsmc的
 楼主| 发表于 2011-9-24 09:45:34 | 显示全部楼层
回复 2# icfbicfb


    去Marvell后端面试的时候,考官说右边的比较好,也不告诉我原因,让我自己想!
我也说只见过左边的,他说见过的未必就是最好的!
发表于 2011-9-24 10:46:09 | 显示全部楼层
2种的实际效果应该是一样的,但是右边的比较容易“骗过”DRC检测
发表于 2011-9-24 15:22:59 | 显示全部楼层
为啥, tsmc官方的utility都是左边的, 有些公司有一些自己的东西吧,没见过,

45度 的是很容易offgrid的
发表于 2011-9-24 22:55:30 | 显示全部楼层
那是因为左边的比较容易写script做出来
dummy metal还考虑on gird的事情吗?
发表于 2011-9-24 23:45:59 | 显示全部楼层
当然了, offgrid 有可能造成dummy和real metal short 啊,

offgrid造成 open,short都有可能的,
发表于 2011-9-26 12:11:27 | 显示全部楼层
那是DRC的space应该检查的,它如果说通过了,就不用管off grid了
发表于 2011-9-26 22:31:06 | 显示全部楼层
1、metal dummy是基于工艺中平整度考虑,也能适当的减少layer层的应力,基于这个考虑图2好于图1;刻蚀中不规则的图形很容易引起过刻蚀或者欠刻蚀的情况,所以不管数字版图或者模拟版图尽量少走45°走信号线,由此来看图1的刻蚀效果会好于图2的,但是关注metal dummy的刻蚀效果又有多少意义呢;
2、陈涛版主说的对,metal dummy不用考虑offgrid的问题,我们考虑offgrid优先看的poly栅的offgrid问题,因为w/l的变化会直接影响器件的性能参数;
发表于 2011-9-26 22:54:22 | 显示全部楼层
offgrid 和spacing是2码事情好不好,  drc runset里面一般会标的

OFFGRID check YES ,

offgrid对于所有金属层和dummy层都是应该查的, 从理论上offgrid都有导致周围的线short,open的可能性,

但是有的情况下,不管offgrid 确实也不会引起open,short , 保险起见,还是都修掉
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