谈谈mos voltage reference

huhuh · 发表于 2011-9-20 08:55:58

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传统的voltage reference都会用bjt，但是它的面积大，耗流较多，输出noise大。现在很多地方逐渐用mos voltage reference来代替它，大家用过的mos voltage reference，tapeout后，哪种效果比较好，有什么优缺点，来谈谈吧。

zjzhang1124 · 发表于 2011-9-20 10:41:36

很多地方是哪些应用？楼主请帮忙介绍一下

ecc008lty · 发表于 2011-9-20 14:22:34

电路啥样子。。。完全没概念

fuyibin · 发表于 2011-9-20 14:24:18

传统的voltage reference都会用bjt，但是它的面积大，耗流较多，输出noise大。现在很多地方逐渐用mos volta ...
huhuh 发表于 2011-9-20 08:55

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不知道你那里看来的，无稽之谈

hezudao · 发表于 2011-9-20 20:05:28

本帖最后由 hezudao 于 2011-9-20 20:07 编辑

发现又是你，但是还想说还真没听说过 mos voltage reference（难道你说用Vgs,确实有，不过感觉用的非常少）这个概念。bandgap都是基于bjt,以前用bipolar工艺，现在用cmos工艺而已。只不过cmos里面的bjt比bipolar里面的差很多，性能也就差很多。你这基本概念还是要先搞搞懂

lonerinuestc · 发表于 2011-9-20 20:42:43

发现又是你，但是还想说还真没听说过 mos voltage reference（难道你说用Vgs,确实有，不过感觉用的非常少 ...
hezudao 发表于 2011-9-20 20:05

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其实楼主说的是对的，是你们自己没有搞懂事实真相而已。
1.所谓的MOS voltage reference不外乎是利用亚阈值区管子的指数I-V特性来代替BJT管子。
2.并不是所有的CMOS工艺都提供BJT。MOS voltage reference主要是用于数字CMOS工艺（一般是较新的工艺）

mmkyy · 发表于 2011-9-20 20:52:38

孤陋寡闻了，没有听说过 MOS voltage reference

vdslafe · 发表于 2011-9-21 09:20:38

其实楼主说的是对的，是你们自己没有搞懂事实真相而已。
1.所谓的MOS voltage reference不外 ...
lonerinuestc 发表于 2011-9-20 20:42

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我做过40/65nm 的数字工艺,都有寄生BJT, 可以用来设计bandgap
你指的较新的数字工艺是什么工艺? 除非你是说SOI 工艺,那个是没有寄生BJT.

samuelyou · 发表于 2011-9-21 14:47:53

有争论的迹象啊，LZ确实说的有点不妥，有人这样用，但不一定是趋势，至于“面积大”是事实，“耗流较多”看设计，“输出noise大”则不成立！没有固定设计的，就算是同一个工艺，可能不同公司用的方法还不一样，不过就目前来讲大部分还是用CMOS寄生BJT来做，最具可靠性

woodkey · 发表于 2011-9-21 16:39:50

确实看见过纯cmos的bandgap，但没仔细研究，嘿嘿

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