关于MOS电容的问题

染纱 · 发表于 2020-11-27 16:05:09

您好，看了你的帖子，关于NMOS作电容用，G接高，BSD接地可以吗？没有隔离的pwell，pwell是直接做在psub上的，您这么多年的经验和心得可以分享一下吗？谢谢

brcjj · 发表于 2020-12-23 19:46:03

good good good

Chenxu13 · 发表于 2021-7-19 09:12:45

good good good

yang520 · 发表于 2022-7-18 21:09:23

mark一下

iboywade · 发表于 2022-8-8 11:21:35

loopgain 发表于 2017-2-8 18:05
即使正偏，也流不到哪儿去、

pmos G（可变电压）接高电平，DSB接地，这样管子会坏掉吗

Sxiaojie · 发表于 2022-9-16 14:24:19

考古学习了

ybzsa · 发表于 2023-7-11 11:26:06

学习了

单人影 · 发表于 2023-9-1 16:54:28

如果pmos管漏源接低电位，衬底接高电位，栅极接信号源是不是跟漏源衬接高电位，栅极接信号源作用是一样的，还是说有什么说法

单人影 · 发表于 2023-9-1 16:55:30

纵横发表于 2020-9-18 07:48
请问一下大佬源漏衬相接和源漏相接，衬底接另一端的这两种电容有什么区别？ ...

我遇到一样的困惑，请问前辈知道有什么说法嘛

沐暖阳 · 发表于 2024-1-15 15:40:49

Tripping 发表于 2016-10-19 17:14
那电路中既然可以调用任意值大小的电容，为什么还需要构造MOS电容？理由是什么呢？（我不太明白这样的运用 ...

考古人前来蹭一波，虽然这么多年过去您肯定已经明白了。MOS电容的单位容值很大，可以用较小的面积实现较大的电容，缺点是精度较差，容值会随着电压变化而变化；MOM电容的精度高，但是要实现大电容的话需要很大的面积。

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