关于MOS电容的问题

semico_ljj · 发表于 2011-8-23 20:11:20

nice...

wx1984616 · 发表于 2011-8-24 01:43:30

xue ix le xiexie

fu5673921 · 发表于 2011-8-26 14:55:38

回复 7# lifusu

不是计算整个衬底的面积哦。应该只要计算耗尽层面积就行，分三部分，沟道耗尽层，D极耗尽层，S极耗尽层，还要分侧面底面。

ghifi37 · 发表于 2011-8-27 20:37:13

增强型MOS管加偏压小了还不会反型，对容量影响很大。
建议使用耗尽管，偏压至少可以到零电压。

zhfxupt · 发表于 2014-10-14 15:23:31

电容的有效面积为上下极板的重叠部分！

changyidtk · 发表于 2015-3-31 21:00:39

回复回复。。。

liudawn · 发表于 2015-6-26 16:04:04

回复 6# wesley_wan

学习了~

xyshsi · 发表于 2015-7-8 19:20:09

回复 2# aaaabookic

bulk 与psub短接，这样的电容为什么毫无意义？

yunsgao · 发表于 2015-7-8 19:56:00

学习一下谢谢啦

fxdhdu · 发表于 2016-1-20 19:14:31

nmos管做电容，电容公式为C=ε *ε0* S/d，其中S可以通宽长来计算，那么d怎么得到呢？

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