把MOS當電容使用問題

Designer · 发表于 2006-11-3 10:36:28

MOS cap. is the high series resistance due to bottom plate that's formed with doped sub, and high gate leakage currents. BTW, design in HF or LF?

kuan · 发表于 2006-11-3 17:28:55

Just design for HF.
The most important was connection of body.(GND or Voltage?)
The second was about how to simulate accuracy capacitor?(model?)

asdmnbvc · 发表于 2007-1-14 20:38:36

直接仿真就知道了

finfoun · 发表于 2007-1-14 20:49:19

很少见吧？

deepsky · 发表于 2007-1-15 19:56:08

同意这个说法！！

moonfull · 发表于 2007-1-15 21:15:21

可以仿真看一下C－V曲线，工作在弱反型区！

Price1010 · 发表于 2007-1-16 10:49:52

没错, Simulatie MOS Cap. CV curve, 选择欲使用之区域,
一般 MOS Cap. CV curve 不会是 linear 的.

jiangnancai · 发表于 2007-1-18 22:10:14

把MOS當作電容使用,一般工作的强反型区
有点是电容密度大,减小面积
缺点是电容值随电压变化(即使在强反型条件下),主要可以仿c-v特性看看.
如果要减小非线性,可以考虑cross-couple连接法

kuan · 发表于 2007-1-22 12:21:57

這樣的非線性是否連溫度的系數都要考慮進去呢

bluebaby · 发表于 2007-2-9 23:04:29

521521

MOS Cap.