请问N-well和Deep N-well制造上有什么区别吗？

langxian0820 · 发表于 2011-7-13 17:32:47

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比如制造方法，掺杂浓度什么的。

truviet911 · 发表于 2011-7-14 09:42:43

tong wen

suplioooo · 发表于 2011-7-14 15:37:11

当然不一样，DNW先做，NW后做。DNW在下方，NW在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。加上DNW后，内部区域的所有NW实际上都通过下方的DNW连在了一起。掺杂也不一样，NW掺杂直接影响P管的性能，DNW掺杂的要求应该低一些。这些看看foundry的文档应该能弄清楚了。

我是坦克 · 发表于 2011-7-23 22:13:13

当然不一样，DNW先做，NW后做。DNW在下方，NW在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。加 ...
suplioooo 发表于 2011-7-14 15:37

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同意，DNW浓度应该会相应低，有些工艺会用DNW耐高压。

willylin0130 · 发表于 2011-8-7 23:03:24

thanks for sharing

wweett9176 · 发表于 2011-8-8 07:48:30

回复 1# langxian0820

用途也不同，一个给PMOS用，一个用于隔离NMOS用的Pwell和Psub用，所以掺杂什么的都不太一样。

xiaoquanic · 发表于 2014-10-15 21:59:59

好的了解了，不错

lndxeb · 发表于 2023-11-23 17:13:51

dnw先做事掺杂离子浓度较低

guoaf · 发表于 2023-12-5 09:01:54

suplioooo 发表于 2011-7-14 15:37
当然不一样，DNW先做，NW后做。DNW在下方，NW在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。加 ...

我有疑问隔离nmos的话，底部和周围都用DNW围上不可以吗，为什么周围用nwell,底部用DNW

大江南北 · 发表于 2024-1-24 18:22:53

suplioooo 发表于 2011-7-14 15:37
当然不一样，DNW先做，NW后做。DNW在下方，NW在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。加 ...

问下，有NW,HVNW,NBL, NBL最深，耐压最高，如果NW下面没有HVNW，有NBL，NW能连到NBL吗？是不是连接不到？

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