请问N-well和Deep N-well制造上有什么区别吗？

大江南北 · 发表于 2024-1-24 18:25:04

guoaf 发表于 2023-12-5 09:01
我有疑问隔离nmos的话，底部和周围都用DNW围上不可以吗，为什么周围用nwell,底部用DNW ...

如果foundry给你的nmos器件是直接做在衬底上，你铺上DNW就改变了它的结构，但你可以给它一个dnw的gardring, 那就没有问题

娜维娅 · 发表于 2024-7-1 15:28:53

guoaf 发表于 2023-12-5 09:01
我有疑问隔离nmos的话，底部和周围都用DNW围上不可以吗，为什么周围用nwell,底部用DNW ...

DNW是隔离衬底的作用，惨杂比NW低，耗尽层会更宽，全用DNW惨杂会影响nmos的性能，性能取决于多种因素，集中包括惨杂浓度

娜维娅 · 发表于 2024-7-1 15:30:34

大江南北发表于 2024-1-24 18:22
问下，有NW,HVNW,NBL, NBL最深，耐压最高，如果NW下面没有HVNW，有NBL，NW能连到NBL吗？是不是连接不到 ...

NW也能连接NBL埋层，NBL是N型惨杂，具体可看标准双极型工艺结构

fattigerXu · 发表于 2024-12-13 11:30:28

本帖最后由 fattigerXu 于 2024-12-13 11:37 编辑

guoaf 发表于 2023-12-5 09:01
我有疑问隔离nmos的话，底部和周围都用DNW围上不可以吗，为什么周围用nwell,底部用DNW ...

也有这样的吧，我遇到有DNW像NW那样，肯定注入面积和深度比NW大和深。然后这个DNW里边会有可见的NW，也就是先做DNW再在DNW里做NW。会通过描述算法计算出PW的位置，PW里面就是咱们放的NMOS和给NMOS的衬底提供电位的PTAP。这样的工艺在一个DNW里面，最外圈是接VS的P型保护环。不同电位的DNW之间用HV_VS的P环隔开。
也有遇到的工艺里DNW就是在NW底部，DNW和NW就像组成一个盆子，DNW是盆底，NW是盆边，盆里边也可以有NW，除了NW就是不用画出来的PW，PMOS和NMOS就分别放在这NW和PW里，和上一个有点区别的就是一个DNW里面，NTAP_NW就是最外面的环，不同电位DNW之间也是要用一个电位最低的PSUB环隔开。不知道以上说的对不对，菜鸟一个

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