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[求助] smic工艺的蒙特卡罗分析

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发表于 2011-6-24 09:00:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在学习monte carlo分析,碰见几个问题想问问大家
1.monte carlo分析中有mismatch和process两种选项,关于mismatch我的理解是由于器件的失配所引起的误差,但是关于process这项还是不太理解,这项指的是什么引起的误差?
2.smic所提供的MC文件中只有process选项的的参数,那我怎么做mismatch选项的monte carlo分析?
发表于 2011-6-24 09:49:22 | 显示全部楼层
process 貌似是工艺角?就是MOS管的ss ff、电阻的fast slow之类的?
这么说来MC仿真的process和corner仿真是一样的东西么...
 楼主| 发表于 2011-6-24 09:57:25 | 显示全部楼层
回复 2# kurama1412
我看到一般管子失配的模型包括三项,一项是阈值电压失配,β的失配,还有管子间距离引起的失配。按我的理解工艺引起的偏差已经包括在阈值电压失配和β值的失配中了,所以就不是很明白mc分析中process选项的意义。
不知道我这样的理解对不对。
发表于 2011-6-24 12:13:08 | 显示全部楼层
回复 1# favourite626


    1.同问
    2.没法做,除非你自己写个mismatch文件~
 楼主| 发表于 2011-6-24 16:19:08 | 显示全部楼层
回复 4# happygrass


我看了下smic的lib文档
在section mc中是这样描述的(以n18为例):
section mc
parameters sigma = 0
statistics {
    process {
        vary sigma dist=gauss std=1/3
   }
}
// *1.8V core NMOS
parameters dtox_n18 = 1.0e-10*sigma
parameters dxl_n18 = 1.0e-8*sigma
parameters dxw_n18 = -2.2e-8*sigma
parameters dvth_n18 = 0.045*sigma
parameters dcj_n18 = 4.84e-5*sigma
parameters dcjsw_n18 = 3.975e-12*sigma
parameters dcjswg_n18 = 2.09e-11*sigma
parameters dcgdo_n18 = -1.85e-11*sigma
parameters dcgso_n18 = -1.85e-11*sigma
parameters dpvth0_n18 = 3e-15*sigma

对于所给出的代码我的理解是每次仿真随机产生一个sigma,然后用随机产生的sigma来得到管子的一些参数进行计算。
但困惑我的地方在于:
1.对于process的误差如果这样计算的话,那就认为这些随机变量的相关系数为1,但这些参数里的一些参数我感觉因该是相互独立的随机过程(例如氧化层厚度和阈值电压),这样就不能使用同一个sigma值;
2.是否整个电路在做mc分析时所有的n18管子都使用同一个sigma呢,还是每个管子都各自产生相互独立的sigma;(我对于代码的理解倾向于前者)

另外我想问下,如果自己要加入mismatch的分析的话,是不是就应该根据smic所提供的mismatch文档里的参数来自己写模型呢?但是貌似根据mismatch文档只能得到管子直流电流的失配等关系,对于仿真完全没有用。个人感觉mismatch完全没办法做啊
发表于 2011-6-24 18:52:32 | 显示全部楼层
sigma是满足高斯分布的。process我理解是指MOS管的各个参数吧。感觉应该差不多2者
发表于 2011-6-24 23:17:36 | 显示全部楼层
回复 5# favourite626


   你的理解是对的。实际上做mC真不能把所有的管子都变成随机变量仿真。但是要把关键的管子自己定义成随机变量。简单举例,差分对输入管子的model自己编写成随机变量形式。其他的不变。可以仿真输入对管产生的offset。以此类推,把关键期间的model自己编写一下就可以了。
 楼主| 发表于 2011-6-25 20:56:24 | 显示全部楼层
回复 7# 永远不加班


    恩 ,这个方法不错啊,但是失配的模型怎么加呢
发表于 2011-6-27 23:23:37 | 显示全部楼层
关于process,我的理解是,比如说,正常情况下,tox为40nm,但是在某次流片中,tox偏移到了38nm,而在下一次流片的时候,可能就偏移到了42nm,而各个corner是工艺中可能出现的极限情况
发表于 2011-6-29 09:41:50 | 显示全部楼层
"monte carlo分析中有mismatch和process两种选项"
process指的是global variation,类似于process corner;mismatch指的是local variation,是两个距离很近、但是图形相同且方向一致的器件的失配。
通常做运放等的offset分析只用到local variation,用monte carlo的方法。
global variation用于芯片成品率(yield)的分析,corner仿真是一个最坏情况分析,并不能得到成品率的概念。
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