请问怎样看到中芯国际.18工艺下的工艺常数，就是迁移率与单位面积的栅氧化层电容之积

自由落体的虹 · 发表于 2022-1-23 23:28:54

s橙子s 发表于 2018-7-23 13:06
可以在schematic里拖一个管子，用spectre做个dc仿真，保存静态工作点，再看这个器件的静态工作点参数列表里 ...

仿了一个NMOS的IV曲线，从上往下是Vgs在不同值的betaeff，随着vgs的变化而变化，请问大佬这个怎么解释？谢谢

sqcsqc · 发表于 2022-1-27 18:09:48

自由落体的虹发表于 2022-1-23 23:28
仿了一个NMOS的IV曲线，从上往下是Vgs在不同值的betaeff，随着vgs的变化而变化，请问大佬这个怎么解释？ ...

表面散射

邓小力 · 发表于 2022-5-13 22:34:27

sqcsqc 发表于 2022-1-27 18:09
表面散射

请问您可以再具体说说吗？不是很懂这个表面散射是什么……

sqcsqc · 发表于 2022-5-15 16:39:11

邓小力发表于 2022-5-13 22:34
请问您可以再具体说说吗？不是很懂这个表面散射是什么……

纵向电场增大，mos的表面散射增大，迁移率下降

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[求助] 请问怎样看到中芯国际.18工艺下的工艺常数，就是迁移率与单位面积的栅氧化层电容之积