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[求助] 请问怎样看到中芯国际.18工艺下的工艺常数,就是迁移率与单位面积的栅氧化层电容之积

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发表于 2011-6-3 22:03:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问怎样看到中芯国际.18工艺下的工艺常数,就是迁移率与单位面积的栅氧化层电容之积?Un Cox之积
发表于 2011-6-4 16:38:24 | 显示全部楼层
DC仿真下有个beta值吧,否则直接看工艺文件应该只可以查到un,e等参数,然后再用公式计算。
发表于 2011-6-4 16:42:14 | 显示全部楼层
un是nmos的参数,在模型中p和N的迁移率都叫u0
cox根据栅氧厚度tox来计算,公式书上都有
直接打开模型文件找就找到啦
发表于 2011-6-5 15:00:51 | 显示全部楼层
用来算,好像都不准
发表于 2011-6-5 15:02:06 | 显示全部楼层
直接仿一下不就得了
发表于 2011-6-6 09:41:13 | 显示全部楼层
用来估计而已,不用非常精确。
发表于 2011-6-8 10:23:03 | 显示全部楼层
中芯国际。18工艺的un=0.04,精确值我不太记得了,请自查model文件,Cox=ε0*εr/tox=(4*10e-9)/(36*PI* 4*10e-9)=0.009 F/m^2 ,其中ε0=(10e-9)/36*PI,真空介电常数,εr=4,是SiO2的相对介电常数
发表于 2011-6-8 14:58:54 | 显示全部楼层
在.scs文件里有,就是仿真调用的文件
 楼主| 发表于 2011-6-8 18:43:44 | 显示全部楼层
谢谢大家啊
发表于 2011-11-26 18:35:20 | 显示全部楼层
谢谢各位,,,,真心学习!
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