MOS的threshold voltage 与 channel length的关系是怎么一个曲线？

syracuse · 发表于 2011-5-26 13:26:46

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不同process是不同的，甚至相反的？
请较高人，随着L增大，VTH到底是怎么变的？这个变化由哪些因素决定？
谢了。

zhongbo1127 · 发表于 2011-5-26 13:42:42

做L VS Vth曲线的时候，要注意VDS不能变。否则得到的结果相差很大。

相同的Vds条件下（Vds不能太大），对于小的L，一般由于D和S扩散结能镜像与沟道多子相同的载流子，这样减小了所需要的Vth。所以L越小，Vth越小。但是随着L的进一步增加，这个趋势变的不明显。一般比较容易在小于0.18nm工艺下观测到。

不知道怎么说清楚不？

syracuse · 发表于 2011-5-26 15:37:43

回复 2# zhongbo1127

谢谢你
但是为什么有的process 结果却是相反的呢？就是说L变大，VTH反而变小。
即使教科书上，不同的书也有不同的结论和曲线。

过路心客 · 发表于 2011-5-26 16:01:41

下面这个曲线可供参考：

andyfan · 发表于 2011-5-26 16:09:45

嗯，上图是比较传统的roll off curve，比较常见于0.18um的工艺中。不过在现代工艺里面，因为沟道越来越短，halo注入引起（就是上面图里面的lateral nouniform doping）的reverse效应越来越大，所以一些65nm或者以下的制程里面是L越短，VTH越大的

syracuse · 发表于 2011-5-26 16:17:16

回复 5# 过路心客

多谢
请问这图出自那本书？

过路心客 · 发表于 2011-5-26 18:01:43

回复 6# andyfan

严重同意，确实有这个现象。

过路心客 · 发表于 2011-5-26 18:02:39

回复 7# syracuse

我是从一份培训教材上摘来的，呵呵，没注意版权。

tanguaner · 发表于 2011-5-29 12:33:00

顶一个，

youngs · 发表于 2011-5-29 16:35:32

长见识了

[讨论] MOS的threshold voltage 与 channel length的关系是怎么一个曲线？

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