Vth的mismatch与gate oxide thickness之间的关系？

woshixiaocao · 发表于 2011-4-4 21:23:27

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我来问一个和工艺相关的问题:在一些资料上看到，mos管的Vth的mismatch 与gate oxide thickness之间呈正比例的关系，就是gate oxide thickness越大，Vth的mismatch 越严重；反之，Vth的mismatch 越好。请问根本原因是什么？个人觉得是因为Cox受gate oxide thickness的影响，不过没有理论支持。

一目了然 · 发表于 2011-4-6 00:52:17

Vth=Vfb+Surface potential+(QB/Cox)

所以当你的tox越大，Cox越小，Vth就会越大。
你要是再多看点资料，会发现Channel length也对其有影响。
但是对Vth影响最大的Doping Profile，其次是Length,然后才是Tox.

wanghds · 发表于 2011-4-7 10:37:14

gate oxide thickness与阈值电压的关系非常重要，而且阈值电压还与沟道长度，沟道掺杂浓度，如果栅用的poly-Si的话，还和它有关系。这方面的论文，可以在IEEE上找到，仔细看一下会明白很多！

harry1862pd · 发表于 2011-4-7 12:02:40

duxoieduoxsir4

woshixiaocao · 发表于 2011-4-8 21:12:05

回复 2# 一目了然

我想是我没表达清楚的我的问题。本身vth与哪些因素有关我是稍有了解的。但我想问的是为什么gate oxide (Tox)越薄match越好，而不是gate oxide (Tox)越厚match越好呢？还是谢谢你的回答！

iamshan · 发表于 2011-4-13 18:22:33

本帖最后由 iamshan 于 2011-4-13 18:23 编辑

楼主，你指的mismatch是什么什么之间的mismatch?
一般来说，gate oxide 的厚度在一定的工艺之下都是一定的，好比0.18 logic只有两种OXIDE THICKNESS；
一般来说，FAB对OXIDE厚度的控制很严格，如果VT等漂掉，基本不会是这里出了问题。IMPLANT等其他因素是主要的。

isea_dj · 发表于 2011-4-13 20:19:04

Vth=Vfb+Surface potential+(QB/Cox)

andrew_xiao · 发表于 2011-4-20 11:49:16

Vth=Vfb+Surface potential+(QB/Cox)
栅氧厚度的控制相当严格。

st_james · 发表于 2011-5-29 11:16:33

xie xie..........

alfredchn · 发表于 2011-7-21 17:01:43

"有趣的是，已经观察到，AVTH随着栅氧厚度的增加而按比例减小。"

？？？

这个是我在Razavi的“模拟CMOS集成电路设计”中文版的P378（第13章不匹配章节）上看到的，应该是翻译错了吧？

[讨论] Vth的mismatch与gate oxide thickness之间的关系？

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