Vth的mismatch与gate oxide thickness之间的关系？

Jason_Von · 发表于 2023-8-14 14:23:31

楼主现在可以回答这个问题了么？我从delay ocv的角度也发现这个问题，vth 更低的cell 的delay ocv的比例会小一些。但是我没办法理解为什么会这样，楼主能解答一些么？

memcad · 发表于 2024-2-25 11:53:38

Jason_Von 发表于 2023-8-14 14:23
楼主现在可以回答这个问题了么？我从delay ocv的角度也发现这个问题，vth 更低的cell 的delay ocv的比例会 ...

你和楼主的不是一个问题。你的问题是vth低的Idsat大，Idsat越大偏差百分比越小，vth的偏差百分比也同样。所以clk尽量用lvt。lvt对工艺，电压，温度敏感度都低。

cd1992 · 发表于 2024-2-26 16:47:51

这是对比 core/IO 不同栅氧厚度下的VT match情况得出的结论吗？

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[讨论] Vth的mismatch与gate oxide thickness之间的关系？