请教一下，Vdsat，vds， vgs-vt几者之间的关系

hzx85337856 · 发表于 2011-11-27 20:36:13

谢谢学习了！！！

shengkou1989 · 发表于 2012-4-14 12:46:52

8楼清晰！

poihero · 发表于 2013-11-7 15:42:12

学习知识了！

fdwd_zhc · 发表于 2013-11-7 22:54:02

为了使得mos管较好的饱和，一般设置200mV，这只是一种经验性的设计方法，是为了在电流效率和增益中取得一定的平衡，Vgst过大，MOS会进入速度饱和区，gm也不会随vgs增大而增大了，所以通常不会在速度饱和区设计电路，而在短沟道的MOS中，square law已经不满足了，Ids电流与Vgst更接近指数关系，所以如果要按vgst=200mV设计放大器，就尽量采用L较大的管子。另外，在高频应用里，可以使得vgst较大。