请教一下，Vdsat，vds， vgs-vt几者之间的关系

xidianligang001 · 发表于 2015-5-5 19:44:57

正在学习

redswat · 发表于 2015-5-8 11:58:00

这个很难绝对说200mv吧，对低压电路，100mv已经可以了

hankwu00 · 发表于 2015-11-13 14:35:56

學習~~感謝分享

gdcl · 发表于 2015-12-4 15:50:36

为什么我在仿真的时候观察管子的DC工作点，有的NMOS管子的vgs小于vth，其vdsat却是正值，按vdsat=vgs-vth的话，这个时候vdsat不是应该是负值吗？而且此时的vds还比vdsat大很多，那这个管子不是应该工作在线性区吗？为什么会有vds大于vdsat？

xinleiye · 发表于 2016-1-28 19:56:07

回复 24# gdcl

Vdsat在仿真模型里并不等于Vgs-Vth,而是电流饱和时的Vds的值，注意是电流饱和。在考虑短沟的速度饱和效应后，mos管有可能在漏端pinch-off之前达到电流饱和，即电流大小不随Vds变化，而等Vds增大到Vgs-Vth(常说的overdrive voltage,Vov),近漏端才会pinch-off,所以Vdsat<Vgs-Vth。至于亚阈值区及线性区，Vdsat<Vds情况，我认为只是模型的简单带入，而并没有实际电学意义，Vdsat仅仅在所谓的饱和区内才有意义。

sumiyyy · 发表于 2016-2-22 13:01:27

200mV不是一个magic number，不同工艺不同的

Wolfsong119 · 发表于 2016-3-2 16:21:22

感谢各位分享，解惑了

lightcoming · 发表于 2016-5-6 15:36:46

回复 8# wocaishidac

8楼学习了

losson · 发表于 2016-8-23 10:29:17

八楼说得很详细

hf1007 · 发表于 2016-12-7 11:59:02

学习了

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