问一个关于smic90nm工艺mos工作电压的问题

hesan621 · 发表于 2016-8-31 07:46:48

Thanks for sharing

andrewleelive · 发表于 2016-12-7 13:18:37

好啊，非常有sence.

satyaneos · 发表于 2017-1-17 00:26:01

good share

郑楷山 · 发表于 2020-3-4 10:45:20

fuyibin 发表于 2011-2-1 13:22
这个东西我比较过,65nm的2.5V device好像没什么特殊的， tox大概5nm的样子
通常来说每个工艺节点都有自己 ...

太感谢了受益匪浅！！

不负时光 · 发表于 2021-6-9 18:11:05

学习

Kamon · 发表于 2021-7-6 09:49:54

学习

wshx · 发表于 2021-7-27 20:08:45

lu0321 · 发表于 2021-9-9 09:46:56

good share

Sarahlln · 发表于 2022-5-7 10:27:57

fuyibin 发表于 2011-2-1 10:33
（1）gate break down voltage会高一点的,而且跟时间温度有关系的，这个东西foundry会提供的，
比如65nm ...

求问耐压的信息在哪类文档中查找呢？我翻了一下工艺库文档，还没找到，求助

its_aleix · 发表于 2022-10-9 16:39:59

受益匪浅，太感谢了

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