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楼主: kook309

[讨论] 问一个关于smic90nm工艺mos工作电压的问题

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发表于 2011-3-28 17:22:54 | 显示全部楼层
fuyibin讲得真详细,好贴,学习了。
发表于 2011-3-28 17:31:42 | 显示全部楼层
回复 11# 过路心客


    应该的,哈哈,大家一起share知识么
发表于 2011-3-28 18:08:49 | 显示全部楼层
基本上,tox 是 最小length * 0.02 , sansen book 有提
发表于 2011-7-19 11:16:35 | 显示全部楼层
学习了,多谢分享
发表于 2011-7-19 13:25:14 | 显示全部楼层
学习了!!
发表于 2015-1-19 19:06:24 | 显示全部楼层
回复 9# fuyibin


   受教了~
请问如果把N12接到了3.3V的电压下,那是不是管子就不能正常工作了哇?SMIC13工艺的
发表于 2015-10-13 22:14:23 | 显示全部楼层
楼上的分析很详细,棒~最近正在研究t65nm的工艺。多多交流~
发表于 2015-10-25 09:28:54 | 显示全部楼层
回复 17# 宋小木


   tsmc65nm工艺库mos管一般都使用1.2V管子,有没有更大一点的2.5V?3V?
发表于 2016-3-16 22:48:42 | 显示全部楼层
回复 9# fuyibin


    顺路请教一下,通常mos BVds要比N+/PW junction BV 要低的原因是什么?
发表于 2016-3-17 11:12:00 | 显示全部楼层
谢谢分享
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