bandgap corner仿真

ime2009 · 发表于 2010-12-22 20:04:53

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在tt下精度为2ppm,而在bipolar的 ff 和ss下精度变为10多个ppm,这是为什么如何解决,跪求高人解答....

bilinzhuxiao · 发表于 2010-12-22 23:28:14

这个貌似我也遇到过，关注

Areky · 发表于 2010-12-23 00:06:34

就个人而言,
没有办法解决。.
电阻,bjt以及opamp的gain, 以及ooffset影响等等..
片面追求全corner下的高准确度是有点overdesign的感觉。
最终还是靠silicon说话。通常都需要增加trim电路来实现理想的基准输出。.

ime2009 · 发表于 2010-12-23 11:01:25

回复 3# Areky

你有trim的资料吗?能不能传我一份，相互交流一下。。。

lfn8 · 发表于 2010-12-23 12:14:43

corner 下ppm 变化不是特别大，都是很正常的事情，只是看能否满足电路要求，如果不能满足就需要优化电路或者换电路结构，或添加trimming 电路

x1346 · 发表于 2010-12-25 18:34:11

很多时候为了全PVT的性能，需要对TT下的性能有很大的影响，有时候感觉真的很难设计了。

ytuly · 发表于 2011-1-3 16:06:14

回复 3# Areky

我也想要个trimming的资料

zhanghao301 · 发表于 2011-1-4 20:41:04

首先我怀疑你你地结果：2ppm/c 不trimming几乎是不可能的。你的电阻要用pdk的电阻。corner下温度系数变化是很大的，我做的似乎是ＭＯＳ＝ss,bip=slow,res=fast,和mos=ff,bip=ff,res=slow是两个基本点极端.trimming一般分四步，上下能调１００mv就可以了。实际芯片中的基准并不需要那么高的温度系数。

ime2009 · 发表于 2011-1-5 08:44:02

回复 8# zhanghao301

能麻烦留个方式（QQ）相互交流一下吗？谢谢

ime2009 · 发表于 2011-1-5 08:45:26

回复 8# zhanghao301

我那个2PPM是前仿得结果，不是实测的结果~估计流出片子精度肯定会变差的。。。

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