世界半导体界顶级会议-------IEDM2010 论文集

123166291 · 发表于 2010-12-15 14:26:23

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本帖最后由 123166291 于 2011-1-6 09:50 编辑

Password: wangzhigang

􀁔 Session 1: Plenary Session
􀁔 Session 2: Process Technology - Advanced 3D Integration
Session 3: CMOS Devices and Technology - Ultra-Thin
Body Transistors and Device Variability
􀁔
Session 4: Characterization, Reliability, and Yield - Front
End of Line (FEOL) Reliability
􀁔
􀁔 Session 5: Memory Technology - Flash Memory
Session 6: Quantum Power and Compound Semiconductor
Devices - Next Generation Digital Devices
􀁔
Session 7: Displays, Sensors, and MEMS - MEMS
Resonators
􀁔
Session 8: Modeling and Simulation - High-Frequency and
Multi-Gate Device Modeling
􀁔
Session 9: Solid-State and Nanoelectronic Devices - CNT,
MTJ Devices and Nanowire Photodiodes
􀁔

chujn · 发表于 2010-12-15 14:27:34

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yueleven · 发表于 2010-12-15 16:39:26

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bilinzhuxiao · 发表于 2010-12-17 20:52:24

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absmos2008 · 发表于 2011-1-8 23:27:44

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123166291 · 发表于 2011-1-9 10:14:54

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baby_fairy · 发表于 2011-1-24 11:44:45

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baby_fairy · 发表于 2011-1-24 11:51:01

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chlliu · 发表于 2011-1-24 12:03:57

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semi2012 · 发表于 2011-4-7 00:04:13

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chujn chujn 当前离线积分 111	发表于 2010-12-15 14:27:34 \| 显示全部楼层此帖仅作者可见
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yueleven yueleven 当前离线积分 1744	发表于 2010-12-15 16:39:26 \| 显示全部楼层此帖仅作者可见
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bilinzhuxiao bilinzhuxiao 当前离线积分 7733	发表于 2010-12-17 20:52:24 \| 显示全部楼层此帖仅作者可见
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absmos2008 absmos2008 当前离线积分 2060	发表于 2011-1-8 23:27:44 \| 显示全部楼层此帖仅作者可见
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