沟道leakage

大大山 · 发表于 2010-11-30 21:50:34

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当MOS不开启时，没有形成任何沟道，一般来说，这时的沟道leakage电流大小与面积成正比。但是增大length的长度，沟道leakage电流明显减少，但这是与面积成正比是相悖的，谁能给出指导吗？谢谢。

zhifang · 发表于 2010-12-1 08:35:42

主要应该是pn结漏电吧。应该是sd到sub。

大大山 · 发表于 2010-12-1 20:18:52

不看到SUB的电流啊
只看源漏方向的电流。。。。

vdslafe · 发表于 2010-12-1 21:06:31

subthreshold 的leakage.

firstzz · 发表于 2010-12-1 21:13:57

leakage是不是跟热载流子有关啊

skycloud · 发表于 2010-12-2 12:17:38

个人认为两个方面，low vt mos在vgs=0时，mos可能不能真正关断，导致d to s漏电，另一个是punch through现象，vds较大的缘故，减小vds或增大channel length可减小punchthrough漏电。

fengchuhua · 发表于 2010-12-3 11:09:29

莫非跟沟道调制效应有关？

dyl0318 · 发表于 2010-12-3 21:55:26

长度增大面积大了吗？ leakage指的是sd电流吧

大大山 · 发表于 2010-12-4 12:05:42

回复 6# skycloud

可能是增大L之后，增加了粒子复合的可能性。。。

大大山 · 发表于 2010-12-4 12:08:38

回复 8# dyl0318

在相等的W之下，增大L。

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