在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
楼主: 大大山

[原创] 沟道leakage

[复制链接]
 楼主| 发表于 2010-12-4 12:12:22 | 显示全部楼层
回复 4# vdslafe


    这两个电流不一样,不相关
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-12-4 12:32:25 | 显示全部楼层
回复 9# 大大山


    建议看看punchthrough现象的相关资料,punchthrough漏电与channel length有关,L大,此漏电小
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-12-4 12:50:22 | 显示全部楼层
沟道 leakage和 w 或 l的关系不一定是单调关系
楼主说到leakage与面积的关系是指junction的面积,不是w*l
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-12-16 23:03:52 | 显示全部楼层
原来是这个样子的~
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-12-16 23:14:15 | 显示全部楼层
最近也在研究~
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-12-24 09:43:06 | 显示全部楼层
不错,从众位口中,知道了一些更深入的,我个人认为:
漏电流分为两种,一个是poly到sub,二个是d到s
这里面说的与面积有关是指的第一个,而增大L是指的第二个。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-12-24 11:21:47 | 显示全部楼层
直接当成电阻看就行了
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-12-24 14:57:40 | 显示全部楼层
One of the phenomonums of short channel length: Lower Vth (than Vth of long channel device)
Increasing L -> less short channel effect. -> higher Vth than that of short channel device
Then subthreshold leakage becomes smaller (due to higher Vth).
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /3 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-9-10 21:16 , Processed in 0.023624 second(s), 3 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表