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[求助] CMOS工艺中是不是所有NMOS管的衬底都要接地

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发表于 2010-11-10 17:02:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题,请教各位,在画版图时,CMOS工艺中是不是所有NMOS管的衬底都要接地(这个衬底是用隔离环做的)
发表于 2010-11-10 17:53:08 | 显示全部楼层
no, you only need to bias it to be the most lowest voltage  biad point use the same isolate well to reduce body effect.
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发表于 2010-11-10 18:56:20 | 显示全部楼层
如果是p-substrate 而且没有deep-nwell, nmos 必须连最低点。
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 楼主| 发表于 2010-11-10 20:27:47 | 显示全部楼层
回复 3# vdslafe


    你好,谢谢你的回复。是这样的,我用了一个阈值电压为负的NMOS管做电容用,NMOS的栅做上极板,源、漏和衬底(衬底用P+注入的隔离环充当)连在一起做下极板,这样做在下极板接地的时候LVS没问题,但当下极板不接地时(这时候NMOS的隔离环也就是衬底没接地)做LVS过不了,一直提示要把NMOS管的衬底接地,不知高手能否指点一二。
  PS:你说的把NMOS做在N阱中,隔离环可以用N+注入,这样隔离环(也就是衬底)就不用接地了,我也试了这种方法,但drc通不过,提示说P衬底不能做在N阱中,可能就是指N管不能做在N阱中,迷茫啊,望高手指点。
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发表于 2010-11-10 22:10:15 | 显示全部楼层
需要deep-nwell,deep nwell 不是普通的nwell.
你需要把衬底连到gnd
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发表于 2010-12-12 10:05:57 | 显示全部楼层
上下极板互换一下,栅极接地,源和漏及衬底接信号源是否可以呢?
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发表于 2010-12-12 11:21:49 | 显示全部楼层




不行,如果你所使用的工艺没有DNW这层的话,NMOS管的衬底只能接地!
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发表于 2010-12-13 22:27:26 | 显示全部楼层
确实需要DNW才行
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发表于 2012-7-18 10:21:21 | 显示全部楼层
衬底接法比较纠结,希望有经验的大虾指点啊
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发表于 2012-7-26 14:45:32 | 显示全部楼层
看你用的CMOS工艺库中有没有带DNW的NMOS管,没有的话只能接地
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