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[求助]关于vc33外扩ram的问题

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发表于 2005-6-16 21:41:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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您好,想请问vc33外扩ram的问题
vc33在mc方式下时,内部1000h到7fffffh是片内BOOT1和BOOT2区域,如果到外扩ram,则External (STRB Active),我把外扩RAM 定在480000h到4FFFFFh之间,片选信号和读写信号用lattice的LC4128完成。
       RAM_CS1 <=((not A23) and A22  and (not A21) and (not A20) and A19 ); --程序RAM;
        RAM_OE <=  DSP_STRB or (not RW); --RAM读写信号;
        RAM_WE <=  DSP_STRB or  RW;
cmd:
     MEMORY
{
ERAM : o = 480000h, l =  3000h
RAM1: o = 809800h, l =  800h
}
SECTIONS
{
.text:> ERAM
.data:> ERAM
.bss :> ERAM
.cinit:> ERAM
.stack:> RAM1
.const:> ERAM
}

但我怎么都不能使程序在片外ram中运行,请帮我看看是否是片选和读写信号问题,谢谢
 楼主| 发表于 2005-6-19 21:36:53 | 显示全部楼层

[求助]关于vc33外扩ram的问题

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