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[求助] 求助,关于ldo中用随负载可变的零点进行补偿的电路

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发表于 2010-10-11 17:07:07 | 显示全部楼层
单位增益具有强的驱动能力,起码保证稳定性无忧,否则是不是引入而外的极点?modeling 一下,注意paper中没有强调功耗问题,说明这方面不具备优势,很有可能是功耗和性能trade off得到的一个结果,你继续努力,欢迎随时讨论
发表于 2010-10-11 17:49:46 | 显示全部楼层
关注中,等待结论。。。
发表于 2010-10-11 20:29:42 | 显示全部楼层
回复 1# 一个人的江湖


    电路中pass device gate 看进去的寄生电容是很大的,会在m10和m11的drain那点产生一个频率不是很高的pole。所以采用11#发的那个专利的结构,用一个单位增益的buffer(输出阻抗等于1/gm,可以做的很小),将pass device gate 的寄生电容引起的pole推到高频。同时用一个根据输出电流来调整阻值的工作在线性区的mosfet(M17)和Cc构成一个零点来track输出极点,可以实现很好的补偿。最好再用一个poly电阻和M17串联,阻值与M17的典型电阻值差不多就行。这个专利架构经实践证明是很不错的。
 楼主| 发表于 2010-10-11 23:15:33 | 显示全部楼层
回复 23# woshixiaocao


    多谢您关注,我试试
发表于 2010-12-16 12:31:39 | 显示全部楼层
即使用了buffer gate处的极点位置也在100khz左右,该怎么办呢,不知有什么办法解决??
发表于 2011-10-24 11:32:02 | 显示全部楼层
标记留名
发表于 2011-10-26 00:11:46 | 显示全部楼层
mark之~
发表于 2011-10-30 11:44:28 | 显示全部楼层
你输出是多少,你看一下,分压出产生的零极点可能会很近,起不到补偿的作用。
发表于 2013-12-19 15:06:03 | 显示全部楼层
学习了。
发表于 2014-2-19 22:58:38 | 显示全部楼层
好好学习中~
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