做带隙基准，应该选哪种电阻，选电阻的原则是什么？

扑火 · 发表于 2010-9-23 10:57:43

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本帖最后由扑火于 2010-9-23 11:05 编辑

大家好，现在拿到一个新工艺，要做一个电压基准，输出支路就是BJT和PTAT电压叠加，一般为了节省面积和温度补偿的考虑，选择高阻多晶电阻吧，但这个工艺库里好像没有...请教论坛中的高手：
一般应选选方块电阻大的电阻吗，应该选择具有负温度系数的电阻吗？
该工艺中有以下电阻（2端），我应该选哪一种呢？

Silicide N+ Diffusion       rndif
Silicide P+ Diffusion       rpdif
Silicide N+ Poly             rnpo
Silicide P+ Poly             rppo
NWell under STI             rnwsti
NWell under AA                rnwaa
Non-silicide N+ Diffusion    rndifsab
Non-silicide P+ Diffusion    rpdifsab
Non-silicide N+ Poly          rnposab
Non-silicide P+ Poly          rpposab

上面的电阻中，只有“rnwsti”和 “rpposab”两种方块电阻较大，也只有0.6K，其中前者一阶为正温度系数，后者为负温度系数... 到底该选哪种电阻呢？

goodsilicon · 发表于 2010-9-23 12:04:06

Non-silicide P+ Poly rpposab

扑火 · 发表于 2010-9-23 14:36:18

回复 2# goodsilicon

谢谢！我目前也是选的这种电阻，您知道做基准选电阻的原则吗？

mtwumtwu · 发表于 2010-9-23 17:27:18

you are right, we all use this resistance for BG reference design !!!

Xiao_Fex · 发表于 2010-9-23 19:18:59

本帖最后由 Xiao_Fex 于 2010-9-23 19:29 编辑

选 Non-silicide P+ Poly rpposab 这种电阻是对的，选择高阻多晶电阻的标准是TC1<0,TC2>0；这是因为电阻指数温度系数a与归一化电阻一阶线性温度系数TC1之间满足a=TC1*T0，对于正温度系数阱电阻或扩散电阻，因a>0，则电流指数温度系数b=1-a<1,对于负温度系数多晶电阻，因a<0,则b>1;选则b>1会得到更好高阶温度补偿效果的原因：因为不考虑带隙电压VG的非线性项，VBE的非线性高阶项（ln项）系数为-（c-b），c=4-n，n为寄生PNP管发射区载流子迁移率的指数温度系数，一般0.8<n<2,所以2<c<3.2，b越正，则VBE的非线性高阶项（ln项）绝对值越小，用极值思想分析，若VBE中高阶非线性项趋于零，那么具有负温度特性的VBE中只有线性项了，只要用一阶线性补偿就完全可以获得零温度系数电压基准，正是由于VG和VBE的非线性因素所以需要引入高阶非线性量来补偿二者中的非线性项，即所谓的高阶补偿。不知你明白没？多看看paper吧。