求教关于CMOS工艺中BJT的问题

cutezero · 发表于 2010-4-4 11:56:19

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发现一般CMOS工艺中都用PNP管做带隙基准源。但是我仿真发现，是带npn管的CMOS工艺中，其beta值比pnp管要高，那位什么还是会选择用pnp管做bandgap reference呢？

feel100 · 发表于 2010-4-6 07:19:21

标准的CMOS工艺是没有NPN的,需要添加一层PBASE层实现.

cutezero · 发表于 2010-4-6 09:09:32

标准的CMOS工艺是没有NPN的,需要添加一层PBASE层实现.
feel100 发表于 2010-4-6 07:19

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那如果是mixed-signal CMOS工艺一般会做这一层吗？

nzhzju · 发表于 2010-4-6 10:11:36

3# cutezero
我想即使工艺中有这一层，一般公司也是不希望使用的，因为这样会增加制造成本

chipdesign · 发表于 2010-4-6 20:51:39

在smic18混合工艺的器件库里这两种都有,pnp确实比npn少一层
而pnp是bc直接接到地的,也很方便吧,
既然pnp可以为什么要用npn呢,你说是吧

chipdesign · 发表于 2010-4-6 20:52:46

做带隙beta不是问题

feel100 · 发表于 2010-4-6 22:16:30

3# cutezero

很多mix工艺都支持的,具体的你可以看下工艺文件,要增加成本是必然的了,代工厂一般按光刻次数收钱的.
另外使用NPN在很多时候可以极大的减小电路设计的难度.

ss758 · 发表于 2010-4-6 22:39:16

一般都用vpnp

icdreamer · 发表于 2010-4-6 23:28:02

考虑工艺兼容性

alvays · 发表于 2010-4-7 17:38:26

发现一般CMOS工艺中都用PNP管做带隙基准源。但是我仿真发现，是带npn管的CMOS工艺中，其beta值比pnp管要高，那位什么还是会选择用pnp管做bandgap reference呢？
cutezero 发表于 2010-4-4 11:56

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以前真没注意到beta的两个区别。原来要另外加层次才能有NPN.

不过这个beta没有关系。虽然一般推导的时候都是忽略Base电流，但是即使考虑了，同一工艺下，两个管子Beta值一样，这个参数推导的时候还是能够抵消的

ALVAYS

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