求助！！关于拉扎维书上mos电流方程的推导

dyxhao01 · 发表于 2010-3-31 16:07:06

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书上P15，Id的推导，用的是Vgs，有的书用的是Vg，有没有什么问题的，如果用Vgs推导的话，对于Vs不为0的情况，很难理解推导原理

极品飞车10 · 发表于 2010-3-31 16:26:59

对于Vs不为0的情况,是不是要考虑Vbs，衬底偏置效应啊？

hushuoqiu · 发表于 2010-3-31 16:55:50

on razavi, the derivation is based on fig 2.10 and on that diagram, source is connected to ground

so...

极品飞车10 · 发表于 2010-3-31 18:41:46

so Vgs= Vg

hejinjie · 发表于 2010-3-31 19:04:35

支持楼上意见 Vs不为与衬底等电位会有衬偏效应

mumuliu6 · 发表于 2010-3-31 21:57:13

只有衬底接源端的时候才没有衬偏效应

dyxhao01 · 发表于 2010-4-1 15:48:07

如果式2.4-2.8的推导式建立在Vs=0的情况下，在Vs不为0的时候，从器件内部来看，式2.4就有点牵强了，还可以这么推导吗？意思就是式2.8是在Vs=0的情况下推出来的，在Vs不为0的时候，只靠衬偏效应修正一下Vth，还能保证成立吗？
还有，由于Vs不为0而产生的衬偏效应和由于Vb不为0而产生的衬偏效应，两种情况下，Vth的计算相不相同的？

wlw851012 · 发表于 2010-4-1 16:15:37

如果式2.4-2.8的推导式建立在Vs=0的情况下，在Vs不为0的时候，从器件内部来看，式2.4就有点牵强了，还可以这么推导吗？意思就是式2.8是在Vs=0的情况下推出来的，在Vs不为0的时候，只靠衬偏效应修正一下Vth，还能保证 ...
dyxhao01 发表于 2010-4-1 15:48

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wow  你问得蛮详细的嘛  不错不错  人家爱因斯坦都说过会问问题的人比会解决问题的人更厉害  先赞一个

这个问题我是这样看得  对于图2.10的推导图中的VSB=0 即vth=vtho  但这只是个参考状态
对于衬偏效应我们只关注到VSB与之的关系（这是一个学物理做过器件失效分析的TI工程师告诉我的  因为更深层的衬偏效应原理就很理论了过于抽象  那个领域属于材料学家的工作范围  IC设计师可以不深究之）所以无论  “Vs不为0而产生的衬偏效应和由于Vb不为0而产生的衬偏效应”  只要VSB出现了变化那就得另算VTH  公式就是2.22

dyxhao01 · 发表于 2010-4-1 23:18:16

多谢楼上的，看来再深究也没什么意义了，应该只要对器件有个直观了解就行了

anglee3015 · 发表于 2010-4-2 17:26:48

没有问题的，作者有详细提到的，VG的时候，有单独提到VS的啊

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