为什么带隙基准电压的波形会随温度上升或下降而下降(向下凹)

goodsilicon · 发表于 2011-1-25 09:02:53

看不到图。
你是仿真的结果吗？那可能是 model的问题，但实际做出来基本都是“彩虹”，
因为vbe的负温度系 ...
Mestc 发表于 2011-1-24 22:58

登录/注册后可看大图

然也。。。。。。所以说之前说什么二阶效应，基本上是照猫画虎，脱离实际，不足为信。

lylnk · 发表于 2011-1-25 09:20:40

大多数正常情况都是向上弯的。
有少数情况下会向下弯。比如：bandgap核心和输出部分的输出电阻随温度变化不同；电阻的温度系数比较奇特；运放的失调电压影响等。

你可以直接用，不细查原因。也可以找出来什么原因影响成向下凹的。
比较笨的方法是用理想元件代替电路中的运放，电流镜，电阻等。逐个替换，直到换了某个忽然向上凹了，就是那个影响的。

semico_ljj · 发表于 2011-1-25 22:21:55

和bipolar的模型参数有关

司徒温孤 · 发表于 2011-1-28 11:59:21

高阶温度系数造成的！

transistor7 · 发表于 2023-9-19 05:29:20

bandgap vref 随温度的变化曲线是上凸还是下凹，取决于Iref 使得current mirror的PMOS是出于哪个位置。PMOS/NMOS的 drain current随温度的变化有两个区间：CTAT和PTAT区间，中间有个TC=0的点。drain current的温度变化决定于两个因素：VTH和mobility. 所以如果Iref选取的值使得PMOS在PTAT区间，那边就会出现下凹的VREF曲线，反之就会得到上凸的VREF曲线

[原创] 为什么带隙基准电压的波形会随温度上升或下降而下降(向下凹)

站长推荐 /1