为什么带隙基准电压的波形会随温度上升或下降而下降(向下凹)

woodtrain · 发表于 2010-4-4 20:48:30

7楼是正解，是diode的二阶温度系数决定的，经典温度补尝只是补的一阶温度系数，找gray的书看看好像有推导

HNwh2011 · 发表于 2011-1-18 15:14:26

不错，7楼说的很对，向上向下没什么大碍，我还见过向上凸的亚阈值MOS 基准，精度和温度系数高才是最重要的

tianbian360 · 发表于 2011-1-18 17:56:00

It's up to your resistor-type 2nd temp coilficient. nothing with BJT.
you know, poly resistors have at least negative(about 50/Sq) and positive(about 2k/Sq) temp coilficient. if you used high resistor/Sq, you will find the 2nd effect rain bow(Up and Low)...
especially when higer oder temp compensation.

司徒温孤 · 发表于 2011-1-19 14:05:11

学习中啊！

jerryzhao · 发表于 2011-1-20 14:03:16

如果你采用的是普通结构，VREF=Vbe+K(d)Vbe 曲线一般是上凸的。
这是因为Vbe负温度不是线性的，温度高的时候变化大。

如果你的曲线是下凹，很有可能是你的运放设计的不好，温度变化时候，出现比较大的增益变化。查看一下，你的运放输入两端，是不是已经不相等了,随着温度的变化?

goodsilicon · 发表于 2011-1-20 15:27:56

如果你采用的是普通结构，VREF=Vbe+K(d)Vbe 曲线一般是上凸的。
这是因为Vbe负温度不是线性的，温度高的时 ...
jerryzhao 发表于 2011-1-20 14:03

登录/注册后可看大图

这个说法还比较靠谱，前面的所谓二阶效应基本上不靠谱。。。

pipida · 发表于 2011-1-20 17:44:01

PTAT本身对于温度变化并不是线性的，要想提高提高温漂性能，非线性的补偿是需要的，有兴趣可以看看
curvature-corrected bandgap

cstpope · 发表于 2011-1-20 19:40:16

hao a xiexie a

yp0306 · 发表于 2011-1-24 17:37:38

我的理解是跟diode的二阶温度系数及电阻的温度系数有关

Mestc · 发表于 2011-1-24 22:58:40

看不到图。
你是仿真的结果吗？那可能是 model的问题，但实际做出来基本都是“彩虹”，
因为vbe的负温度系数会越来越大，而VT是线性正温，所以会曲线肯定会下降。

[原创] 为什么带隙基准电压的波形会随温度上升或下降而下降(向下凹)

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