请教一个ESD保护的问题

zhukh · 发表于 2010-3-27 23:59:52

9# CDS

不知你用的是什么工艺，采用的是何种二极管，是怎么接在电源与地之间的，是自己设计的还是按照人家的layout来的？
二极管也能做电源到地的防护的，只是我一般不会这么做

zhukh · 发表于 2010-3-28 00:03:16

图表是工程师的语言，没图问得人问不清，答得人也答不清
woodtrain 发表于 2010-3-27 23:36

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i agree what you said, a picture can win a thousand words.

但
对于内行来说，简单的问题不需要图来辅助说明
对于外行来说，必须图文并茂

vensen · 发表于 2010-3-28 19:13:10

自加热？

magicdog · 发表于 2010-3-29 10:17:33

1# CDS

我来回答下，具体情况具体定吧。首先你要知道ESD发生的模式，要保证各种ESD stress情况下都要有泄放通路。IO对地或电源之间都可能发生正负脉冲的ESD应力。
举例来说 IO 对地之间打正的ESD脉冲，如果是 ...
zhukh 发表于 2010-3-26 23:48

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Hi, zhukh,

对于bicoms或者bcd工艺，是不是纵向bipolar器件是ESD保护更好的选择？

fccgfc · 发表于 2010-3-29 16:35:23

ESD保护的做法，确实很高深，受教了～

potproc · 发表于 2010-3-29 16:44:31

期待大牛解答

zhukh · 发表于 2010-3-29 22:04:09

14# magicdog

hi magicdog
我本人没有BICMOS和BCD工艺的经验，所以没发言权。
不过可以讨论下，CMOS工艺下也做过PNP的BJT的，是把它接成了二极管来用，至于它的snapback特性，我没有测试过。
BJT没有栅极，不存在它自身栅氧气击穿的隐患，而且其β值也大于lateral BJT，触发电压也许会低于同工艺下的GGNMOS管子，我想应该是优于NMOSFET。
but i am not sure

abc_whatever · 发表于 2010-5-1 21:35:34

interesting

liuyuqing_xyz · 发表于 2010-6-10 19:22:08

VDD to GND 用MOS做的Power clamp

sqnnzhu · 发表于 2010-6-11 01:45:59

有意思，受教了

[求助] 请教一个ESD保护的问题

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