共源管接不同负载的三个电路的区别

lgy747

   

For the first case:
Reminder that the ID=1/2uCoxW/L(Vgs-Vt)2 is the equation for transistor in saturation region.
At low drain current, the transistor is in the sub-threshold region, another equatio ...
yeoks99 发表于 2010-3-24 10:15

                               
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你这次总算说靠谱了，是接近Vb，但差值少于vth

yeshengseu

我谈下个人观点，首先这三个电路都可以从电流连续性出发得出上面结论，当然这里不考虑亚阈值导通的情况，由于下面NMOS截止，所以上面MOS应该没有电流，MOS管没有电流有两个条件：一，没有形成强反型层，只有耗尽层，没有导通沟道，即VGS<VTH或者VGS=VTH，即临界开启，1和2图结论即是根据临界导通条件得来的。二，有导通沟道即VGS>VTH，但是VDS=0，3图即是根据VDS=0得来的。个人愚见，希望高手指点哈！