请教一个adc芯片反向提取的结构

luochunhua · 发表于 2010-2-27 13:29:11

恍恍惚惚恍恍惚惚hh

swolftam · 发表于 2010-2-27 20:36:47

看了诸位的讨论，很是高深，哪位能告诉小弟一下，栅端离漏端比较远是什么意思啊？

bluesmaster · 发表于 2010-2-28 00:15:06

不对称管，gate到drain比到source长一点

MemsG_9 · 发表于 2010-2-28 01:03:21

哪些应用中需要用到不对称管？

lgy747 · 发表于 2010-2-28 19:41:20

栅端离漏端比较远是什么意思？！
L漏远大于L源？
楼主解释一下，要上图

c812_1982 · 发表于 2010-2-28 21:09:43

看不懂啊

kaiyuan · 发表于 2010-3-1 13:28:46

图例中M25是PMOS,M26是NMOS。
接成跟随器结构，是指实际版图中M25为NMOS,而M26为PMOS吗？
如果是这样的话，的确这两个MOSfets需要做成ESD structure。

jackychan2010 · 发表于 2011-3-25 19:27:19

你好，能否跟我说说你是用什么ADC芯片吗？？我的QQ是450105238，可否加加我，我最近也想反向设计ADC的芯片？？

ralphtw · 发表于 2014-9-3 14:00:02

it is simple !

tricia · 发表于 2016-7-8 16:33:25

agree with this point:
如果输出电流有可能很大的话，可能是为了限流，或者保证每个finger电流一致，类似于esd中的ballast电阻。

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