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楼主: fuyibin

[原创] 说说模拟设计那点事儿和那几本书

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发表于 2010-1-10 23:01:49 | 显示全部楼层


8# dclustc  
呵呵,通常我们不会叫电路工程师的,哈哈,都会是circuit engineer,
simulation也不太会用中文,不知道叫模拟好呢还是叫仿真好
还有比如analog,大陆模拟叫的很顺,结果台湾就叫什么类比电路,怪怪 ...
fuyibin 发表于 2010-1-10 15:44



我把做电路叫做designer,有些单词说成中确实很别扭,还是用英语表述比较好;
发表于 2010-1-10 23:04:31 | 显示全部楼层
这个行业是最需要耐心和细心的了,做了3年多的RF设计,感觉才刚刚入门。
发表于 2010-1-10 23:25:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 hongmy 于 2010-1-10 23:26 编辑

做技术的,有这个心态很不好。我鼓励积极发表意见,可是把自己太当成专家就不好了,不了解情况,不要硬调侃。自己没有见识,却说别人的不是,你看,误导下面的人了吧。毕竟这个论坛上还是有不少新人的。

工艺选择和电源电压选择有很多种出发点,应用不同,选择不同,0.18um使用0.5V没有什么可笑,都是很正常的,在实际中绝对正常,也绝对可以出现。一个0.5V的应用你不可能让他去选择40nm的工艺吧,那不是人人都可以用得起的。
另外,亚阈值绝对没有你们想想的可怕,那是几本书非故意误导了你们,主要是他们主讲饱和区。只要你进行低功耗设计,绝大多数时候你的器件都会在亚阈值下跑。我设计的放大器,输入差分对管到目前为止没有是饱和区工作的。当真正做产品的时候,你会发现你很喜欢亚阈值的。

对了,模拟绝对不是那点事可以形容的。




亚阈值这个东西个人感觉不太safe或者是牢靠啊
需要看你是做什么东西咯,研究么还是可以的,要做production还是保守一点
通常我们用的power supply都是有标准的,比如说.18的device就会用1.8Vpower
0.13/90nm/ ...
fuyibin 发表于 2010-1-10 13:27

发表于 2010-1-10 23:41:33 | 显示全部楼层
1.2V 或者1V 设计 很容易在亚阈值区,没啥问题。
 楼主| 发表于 2010-1-11 09:07:26 | 显示全部楼层


做技术的,有这个心态很不好。我鼓励积极发表意见,可是把自己太当成专家就不好了,不了解情况,不要硬调侃。自己没有见识,却说别人的不是,你看,误导下面的人了吧。毕竟这个论坛上还是有不少新人的。

工艺选择 ...
hongmy 发表于 2010-1-10 23:25



这位仁兄误解了吧,你说最起码要告诉大家一个常识是吧,不要把大家引向歧路
我也不想争论什么,只是想告诉大家一些基本的东西,比如power supply要用一些业内都认同的东西
比如客户三星会接受你1.3几V或1.4V的design么,不被人骂死才怪!
我们做出来的东西是给客户用的,不是闭门造车,当然碰到特殊情况会有特殊的solution也不奇怪
我没有说subthreshold可怕,而且model应该还是挺准的,只是在做出来的东西margin不大
在不同情况下是不一样的,
比如:1.2V power, opamp的cascode或者input pair你做成subthreshold当然问题不大,因为上下都有headroom啊,还能cover 住corner,但是你在0.5V power下试一试,或者说我没有那个水平保证yield,也许有牛人可以,但我也不羡慕,我们都是普通人,做常规的东西就满足了。
还有说到subthreshold,我不想争辩但还是不想误导大家
subthreshold在很多情况下没有优势的,
增加一倍的size才换来十几或几十mV的headroom,有人要gm大,但是增加一倍的size才换来10%的gm,而且速度会大幅下降。
这样的design完全是trade-off,看值不值得去这么做
有人兄弟说我调侃,我没有丝毫显摆的意思,也没有资本显摆,毕竟才入行一年多,
analog领域当然很高深咯,可是在中国看不到什么前途,大家都在底层混迹
在外国也不是一个朝阳产业,我觉得做IC的有时候有些自我感觉良好,那样不好,
残酷的现实摆在那里,很多人说过,咱们就是高科技的民工
发表于 2010-1-11 11:11:11 | 显示全部楼层
很很感兴趣这位大哥是在哪儿高就,中文夹英文看得有点不习惯。有些词我想应该是通用的翻译,power supply除了电源,我不知道还有什么翻译。design除了设计还有什么。呵呵,题外话啦。

关于电源,其实不需要业内都认同,主要要求来自市场,来自你的项目要求。现在很多应用,为了覆盖比较宽的应用,电源电压跨度比较大,如1.8~3.6,1.3~3.6等等。所以设计1.3V也不奇怪,我很好奇为什么会被骂死。再说说这个0.5V的,在有些医疗电子里面,如心脏起搏器中,可能就一个小纽扣电池,要长时间的工作,要求芯片低到0.5V也能够工作也不奇怪。总之,有市场需求,就有这种设计,就有这种存在,作为设计人员,只能去适应。而且低功耗低电压也是趋势。
   0.5V电源下,不能保证yield那不是亚阈值的错。低电压设计本来就是一个技术点。
   同意楼主的说法,选择饱和区还是选择亚阈值,其实来自于你的设计折衷,和优势不优势没有关系,二者没有什么相比的意义。在有些情况下,当然亚阈值没有优势,但在有些情况下,亚阈值是很有优势的。
   亚阈值是I/gm效率最高的了,在低功耗与高速设计折衷中我想选择亚阈值并不奇怪吧。
     “有人要gm大,但是增加一倍的size才换来10%的gm",其实面积增加到一定程度,是增加不了什么gm的,如果从简单模型看,甚至不会再有增加。
    很多时候增加面积主要是考虑mismatch,noise等因素。

最后,技术是一个话题,做技术的人相对而言混得不怎样,是另一个话题,这个行业怎么样,又是一个不同的话题。一旦展开讨论,呵呵就麻烦了。



18# fuyibin
这位仁兄误解了吧,你说最起码要告诉大家一个常识是吧,不要把大家引向歧路
我也不想争论什么,只是想告诉大家一些基本的东西,比如power supply要用一些业内都认同的东西
比如客户三星会接受你1.3几V或1.4V的design么,不被人骂死才怪!
我们做出来的东西是给客户用的,不是闭门造车,当然碰到特殊情况会有特殊的solution也不奇怪
我没有说subthreshold可怕,而且model应该还是挺准的,只是在做出来的东西margin不大
在不同情况下是不一样的,
比如:1.2V power, opamp的cascode或者input pair你做成subthreshold当然问题不大,因为上下都有headroom啊,还能cover 住corner,但是你在0.5V power下试一试,或者说我没有那个水平保证yield,也许有牛人可以,但我也不羡慕,我们都是普通人,做常规的东西就满足了。
还有说到subthreshold,我不想争辩但还是不想误导大家
subthreshold在很多情况下没有优势的,
增加一倍的size才换来十几或几十mV的headroom,有人要gm大,但是增加一倍的size才换来10%的gm,而且速度会大幅下降。
这样的design完全是trade-off,看值不值得去这么做
有人兄弟说我调侃,我没有丝毫显摆的意思,也没有资本显摆,毕竟才入行一年多,
analog领域当然很高深咯,可是在中国看不到什么前途,大家都在底层混迹
在外国也不是一个朝阳产业,我觉得做IC的有时候有些自我感觉良好,那样不好,
残酷的现实摆在那里,很多人说过,咱们就是高科技的民工
 楼主| 发表于 2010-1-11 12:28:33 | 显示全部楼层


很很感兴趣这位大哥是在哪儿高就,中文夹英文看得有点不习惯。有些词我想应该是通用的翻译,power supply除了电源,我不知道还有什么翻译。design除了设计还有什么。呵呵,题外话啦。

关于电源,其实不需要业内都 ...
hongmy 发表于 2010-1-11 11:11



我们这里大陆台湾美国欧洲都有啊
既然兄台说电源不需要业内认同,那也没办法了
但至少我看到的都是需要规范的,我们做的通用的东西,5V/3.3V/2.5V/1.8V都是规范的东西,至于低压也就是1.0/1.1/1.2
没有自己想出一个要求,实在做的东西margin小,会升压试试
见到过一些公司用奇奇怪怪的power,而且overstress的挺厉害的,那是为了costdown,省package/ball的结果
还有就是我们不能老是指望用最廉价的工艺做出最先进的东西吧
比如心脏起搏器里的amplifier你总不能指望用smic.18做出来吧,
特殊的东西还是需要特殊的工艺来实现,要不人家含辛茹苦开发的工艺岂不是毫无意义
还有subthreshold的PVT差好像是共识吧,I-V curve变成对数坐标就能看到
在subthreshold段时指数变化,在大于threshold后基本是平方律关系,大家应该都是明白的吧,在subthreshold时个能会差出几个数量级去
发表于 2010-1-12 12:33:57 | 显示全部楼层
再回复一次吧,
其他的就不讨论啦。因为在亚阈值这个地方我不希望有人被误导。

设计者的一个最大的任务就是使用廉价的工艺作出先进的东西的,如果不这样,我们还成天在CMOS下设计模拟干什么?谁叫SOC是我们的一个前进方向呢。

关于楼主说的substreshold的PVT差已经是共识,不知道是怎么得到的共识,差又差多少呢,楼主给出了理由,I-V变成对数坐标就能看到。

那我们抛弃BJT工艺吧。

楼主说:在subthreshold段时指数变化,在大于threshold后基本是平方律关系,大家应该都是明白的吧,在subthreshold时个能会差出几个数量级去

这段话楼主应该是说,在亚阈值下,同样Vgs的变化,电流可能会差出几个数量级去。

可是差出几个数量级有什么关系呢?请想想设计电路是怎么设计的吧。


20# fuyibin
还有就是我们不能老是指望用最廉价的工艺做出最先进的东西吧
比如心脏起搏器里的amplifier你总不能指望用smic.18做出来吧,
特殊的东西还是需要特殊的工艺来实现,要不人家含辛茹苦开发的工艺岂不是毫无意义
还有subthreshold的PVT差好像是共识吧,I-V curve变成对数坐标就能看到
在subthreshold段时指数变化,在大于threshold后基本是平方律关系,大家应该都是明白的吧,在subthreshold时个能会差出几个数量级去
 楼主| 发表于 2010-1-12 12:48:36 | 显示全部楼层


再回复一次吧,
其他的就不讨论啦。因为在亚阈值这个地方我不希望有人被误导。

设计者的一个最大的任务就是使用廉价的工艺作出先进的东西的,如果不这样,我们还成天在CMOS下设计模拟干什么?谁叫SOC是我们的一个 ...
hongmy 发表于 2010-1-12 12:33



我只能认为这位兄弟的水平达到了很高的境界,叫嚣的如此厉害
人家TI/ADI/NS等大公司需要开发特殊工艺来实的东西,
在他嘴里只要普通工艺就能实现
不过毕竟这样的人才不多的,我想普通大众也成不了这样的人才
发表于 2010-1-14 00:02:47 | 显示全部楼层


我只能认为这位兄弟的水平达到了很高的境界,叫嚣的如此厉害
人家TI/ADI/NS等大公司需要开发特殊工艺来实的东西,
在他嘴里只要普通工艺就能实现
不过毕竟这样的人才不多的,我想普通大众也成不了这样的人才
fuyibin 发表于 2010-1-12 12:48



这种想法不是很好。如果人家用特殊工艺实现的东西,你可以用特别的办法用简单的CMOS工艺做到,能降低成本,而且门槛相对低,不是很好么?比如说CMOS radio 和 SiGe radio?
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