请教“天线效应”

Accee · 发表于 2009-11-10 10:51:15

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最近和朋友讨论天线效应的时候，他说从poly直接跳到最顶层金属。。。我个人感到疑惑的是，如果是4层以上金属，如何从底层poly直接跳到顶层？我问朋友，他说是听O2的一个工程师说的，他个人也不太清楚。。。
我本人是做电路的。。。对这方面也是不是很清楚，所以请各位大侠指点

wind2000sp3 · 发表于 2009-11-10 11:09:40

简单解释一把：天线效应是说如果Poly在版图中走得过长（几十um）并且被包在场氧（Poly和silicon之间）和Nitride（Poly和Metal 1之间），会增加收集电荷的几率。（氧化层和氮化层中的电荷是由于制造工艺不能保证高纯度造成的）。这些被收集了的电荷被Poly收集后由于获得了更低能级，很难再向高能级（氧化层或氮化层）跃迁。从而Poly的电位就会由于电荷而增加或减小，Gate Poly下的沟道也会被永久开启或者永久关闭甚至是击穿栅氧。于是对芯片造成误触发或者是永久性的伤害。
解决这个问题的办法是找到一个比Poly更低能级的材料，吸收Poly中的电荷。很显然，芯片中比Poly能级更低的只能是金属，所以版图级别的解决方法是尽量画短Poly，不用Poly当做连线；当Poly不得不画得太长的时候（比如说反管），需要在Poly上再借足够长的Metal，任何一层的Metal都可以。当然，如果通过Metal1连接到Metal2，最后连接到Top Metal，这样电荷会跑到芯片最顶端，很难开启氮化层和场氧下面的silicon，这样最安全了。

wanglinfei123 · 发表于 2009-11-10 15:42:43

回答不错

piao · 发表于 2009-11-10 18:50:26

同意二楼的解释

还有一种方法是用二极管消除

wbf080827 · 发表于 2010-5-26 13:11:00

谢谢二楼的兄弟说的好要是能写一篇关于天线效应的文章就最好了

goodsilicon · 发表于 2010-5-26 13:33:56

简单解释一把：天线效应是说如果Poly在版图中走得过长（几十um）并且被包在场氧（Poly和silicon之间）和Nitride（Poly和Metal 1之间），会增加收集电荷的几率。（氧化层和氮化层中的电荷是由于制造工艺不能保证高纯度 ...
wind2000sp3 发表于 2009-11-10 11:09

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这个解释还是第一次听说，新奇。。。

天线效应razavi的书上有讲啊，看看就知道了。
还有模拟版图艺术上面也有。