在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: wwjghcy

关于NMOS和PMOS的噪声问题

[复制链接]
发表于 2010-5-27 22:16:05 | 显示全部楼层
就一句话,导电的是电子还是电流就决定了他们的1/f噪声的区别。你看1/f 噪声的原因是电子被.....俘获...
Pmos沟道中导电的是空穴啊 空穴哪里有那么容易被俘获啊??
所以噪声小。上面的那家伙扯太远了
发表于 2010-6-2 18:45:46 | 显示全部楼层
PMOS has less flicker since it's carrier is hole
发表于 2010-9-26 17:53:14 | 显示全部楼层
看看  !!!!!!!!
发表于 2010-9-26 18:27:39 | 显示全部楼层
回复 6# blackbird


    工艺中PMOS是埋在n阱中的
发表于 2010-10-25 10:15:54 | 显示全部楼层
PMOS噪声小 主要和工艺有关吧
发表于 2010-10-25 11:16:06 | 显示全部楼层
楼上各位解释的比较清楚, 原因就是pmos,nmos 导电沟道的形成位置不同造成的,
发表于 2010-10-25 12:06:04 | 显示全部楼层
路过路过
发表于 2010-10-25 13:22:52 | 显示全部楼层
空穴的传递也是通过电子的吧?
感觉掉电子(形成空穴?)不容易,额外俘获电子容易些吧
发表于 2010-10-27 22:11:09 | 显示全部楼层
不过不是有说这个一般是看不出来的
发表于 2011-4-5 21:40:24 | 显示全部楼层
PMOS埋沟的原因
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-9-27 21:40 , Processed in 0.023003 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表