MOS衬底B极的接法讨论

llxiaoshu · 发表于 2009-9-18 11:05:05

还有关于POWER 有什么好的资料吗？3q

xwlpxc · 发表于 2009-9-18 12:10:17

help me!

xwlpxc · 发表于 2009-9-18 12:13:07

原帖由 weizhao101 于 2009-9-18 10:14 发表

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nwell你可以挖多个的啊，又不是只能一个

挖多个管用吗？
他们都是同属N型掺杂

semico_ljj · 发表于 2009-9-18 15:23:05

不知所云！
PMOS 是可以不同sub的！
NMOS 不行，除非有DEEP NWELL

colindeng · 发表于 2009-9-18 18:29:15

单Nwell是可以做的，优其PMOS差分对用的很多，和你们电路工程师沟通下就明白了。

jamesccp · 发表于 2009-9-18 21:48:13

NMOS 的 B 不想接 VSS ，才会需要 3 井工艺。
TSMC018 有 Deep nwell ，可以做 3 井

xwlpxc · 发表于 2009-9-19 14:08:02

原帖由 colindeng 于 2009-9-18 18:29 发表

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单Nwell是可以做的，优其PMOS差分对用的很多，和你们电路工程师沟通下就明白了。

还是不太明白，能够帮助解释一下我前面的疑问吗

yangyu3213 · 发表于 2009-9-19 18:42:53

版图的时候在管子一周圈一圈接触，然后用NWELL圈起来。

floppish · 发表于 2009-9-19 21:04:38

最近提了一个电路，发现P SUB, N WELL ，中做了NMOS的输入对管，是用了深井技术么？还是有什么其他方法？
高手指点下

xp212125o · 发表于 2009-9-19 23:25:28

不錯不錯
讓剛入門的我
了解更多了

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