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楼主: prguo

DC综合时出现这种违列该怎么解决?

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发表于 2004-5-24 13:45:51 | 显示全部楼层

DC综合时出现这种违列该怎么解决?

俺也昏了,不知道CIC这篇文章是谁写的?
另外回答上面prguo的问题,面积是要包括连线面积的。所以计算等效门时得拿report出来的cell area来除以单元面积。
 楼主| 发表于 2004-5-24 14:55:55 | 显示全部楼层

DC综合时出现这种违列该怎么解决?

完了,同是CIC的文章(从它的网站下载下来的),对report_area的值的解释都不一样。上面那篇是杨智乔写的,这一篇是王旭昇写的,一个认为报告的是gate,另一个则认为是平方um。从我的设计看,如果我的设计结果是19381.99平方um,且包括线的面积(根据老扁的说法),好象不太可能。怎么说我的设计也应该在平方mm级,怎么它就不足0.02平方mm呢。想想我的设计里面有一个24*20共44位的乘法器呀。
5_1333_11.jpg
发表于 2004-5-24 18:22:36 | 显示全部楼层

DC综合时出现这种违列该怎么解决?

很简单,上面的report是因为他综合时用的wire_load_model不正确,所以报告中的连线面积几乎为0。当然,综合时的线负载模型得到的面积本来就是个估算值,最终还是得看P&R之后的。当然,针对特定的工艺库有些经验公式,比如有的库说cell面积和连线面积约2:1。记住,关于area一定要看具体的工艺库参数。笼统的说门,说um^2,没什么实际意义。
 楼主| 发表于 2004-6-2 11:56:18 | 显示全部楼层

DC综合时出现这种违列该怎么解决?

没有哪位能确切地解释么
发表于 2008-6-5 17:18:51 | 显示全部楼层
不要看wire load的面积,只看cell的面积
用cell的面积除以大约0.75就是par后的面积
发表于 2008-6-29 22:02:50 | 显示全部楼层


原帖由 prguo 于 2004-5-24 12:06 发表
不好意思,我从CIC上看到一篇文章,它说report_area的值应该表示的是gate,请看图。我有点昏了,真不知怎么去解释这个数值。


看库文件里面Cell Area的单位是用什么定义的了,一般的库都是用平方微米,但我见过SMIC 180nm的工艺库里面Cell Area是用grid作单位的,觉得用grid做单位比较好换算成门数
发表于 2011-4-1 11:16:32 | 显示全部楼层
学习了~~
发表于 2011-4-3 17:21:25 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2011-4-3 20:27:23 | 显示全部楼层
学习下
发表于 2011-8-25 23:05:19 | 显示全部楼层


俺也昏了,不知道CIC这篇文章是谁写的?
另外回答上面prguo的问题,面积是要包括连线面积的。所以计算等效门 ...
老扁 发表于 2004-5-24 13:45




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