请教下：MOS管的衬底这么接是什么意思呢？？

cheng2002520 · 发表于 2009-5-25 10:49:51

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请教各位，一般来说,NMOS管的衬底是接地的，而PMOS管的衬底是接Vdd的。可是我看到有些电路里面，比如说是运放，一个图里面有些管子是按照上面这些规则来接的，可是还有些管子的衬底是直接就接在源极上的（这个源极没有与地或是Vdd相连），这有什么影响呢？两者有什么区别呢？谢谢了！！！！！

kool · 发表于 2009-5-25 12:02:28

原帖由 cheng2002520 于 2009-5-25 10:49 发表

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请教各位，一般来说,NMOS管的衬底是接地的，而PMOS管的衬底是接Vdd的。可是我看到有些电路里面，比如说是运放，一个图里面有些管子是按照上面这些规则来接的，可是还有些管子的衬底是直接就接在源极上的（这个源极 ...

阈值电压，寄生电容不一样，这是很基本的问题，你找本模拟集成电路书，或者半导体器件书都有说的

fengtang2332 · 发表于 2009-5-25 20:50:59

为了减小衬偏效应吧，好好看看Razavi

mmuh009net · 发表于 2009-5-25 21:37:12

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sdscj · 发表于 2009-5-26 11:41:15

这个我可以回答你
=
如果运放的输入对管是PMOS管，可以将衬底接在VDD或者直接接在源上，皆在源上就等于直接接在n阱上，可以增强匹配和减少失调并且消除衬偏效应，但是要单独做个阱会增加layout成本，所以一般要求级别的接到vdd就可以了

NMOS管一般衬底都接地，因为一般的工艺都是单阱工艺，没有P阱，所以一般没有NMOS管衬底直接接源的做法，所以NMOS都会有衬偏效应，要考虑gmb的影响

ggvim · 发表于 2009-5-26 12:26:53

有利于匹配, 减小vt等等
看一下razavi

cheng2002520 · 发表于 2009-5-30 15:15:59

谢谢各位的解答

rainheart · 发表于 2009-5-30 16:18:28

原帖由 sdscj 于 2009-5-26 11:41 发表

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这个我可以回答你
=
如果运放的输入对管是PMOS管，可以将衬底接在VDD或者直接接在源上，皆在源上就等于直接接在n阱上，可以增强匹配和减少失调并且消除衬偏效应，但是要单独做个阱会增加layout成本，所以一般要求级 ...

为什么说“单独做阱”呢？一般而言PMOS本身就是做在N阱中的，这和衬底的接法没啥关系吧

vdslafe · 发表于 2009-5-30 16:42:20

要有两个nwell 啊。一个是连vdd bulk 得，另外一个连source 得

吾老公 · 发表于 2009-5-31 05:23:12

说的是差分对管本来share1个n-well。如果连接到source的话就要用两个n-well。

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