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楼主: cheng2002520

请教下:MOS管的衬底这么接是什么意思呢??

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发表于 2009-6-1 00:05:19 | 显示全部楼层
为了减小衬偏
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发表于 2009-6-7 21:47:14 | 显示全部楼层
减小VTH
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发表于 2009-6-8 13:29:45 | 显示全部楼层
减小衬偏
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发表于 2009-6-12 12:38:47 | 显示全部楼层
另外请注意PBTI 和NBTI.
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 楼主| 发表于 2009-6-29 19:58:17 | 显示全部楼层
谢谢各位
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发表于 2009-6-29 22:31:28 | 显示全部楼层
学习中。。。。。
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发表于 2009-6-30 00:46:06 | 显示全部楼层
N阱工艺里用来减小P管的衬偏效应。(单N阱工艺中,NMOS的衬底总是P sub,所以不存在可以减小衬偏的说法)典型的应用是运放的输入差分对。
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发表于 2009-7-1 08:38:28 | 显示全部楼层
双阱工艺的话,你接地接源都行!
P阱工艺的话,PMOS接高电位、源都行,NMOS只能接地
N阱工艺的话,NMOS接地、源都行,PMOS只能接高电位
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发表于 2009-7-1 08:43:43 | 显示全部楼层
需要深N井工艺支持.可以减少衬偏效应
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发表于 2009-7-1 11:43:49 | 显示全部楼层
芯片shizheyangde
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