请教下：MOS管的衬底这么接是什么意思呢？？

xln610 · 发表于 2009-6-1 00:05:19

为了减小衬偏

duoduohu · 发表于 2009-6-7 21:47:14

减小VTH

pyhpsh · 发表于 2009-6-8 13:29:45

减小衬偏

sli103105 · 发表于 2009-6-12 12:38:47

另外请注意PBTI 和NBTI.

cheng2002520 · 发表于 2009-6-29 19:58:17

谢谢各位

silverpuma · 发表于 2009-6-29 22:31:28

学习中。。。。。

kimi_cxl · 发表于 2009-6-30 00:46:06

N阱工艺里用来减小P管的衬偏效应。（单N阱工艺中，NMOS的衬底总是P sub，所以不存在可以减小衬偏的说法）典型的应用是运放的输入差分对。

kyoabc · 发表于 2009-7-1 08:38:28

双阱工艺的话，你接地接源都行！
P阱工艺的话，PMOS接高电位、源都行，NMOS只能接地
N阱工艺的话，NMOS接地、源都行，PMOS只能接高电位

dacaili · 发表于 2009-7-1 08:43:43

需要深N井工艺支持.可以减少衬偏效应

122013137 · 发表于 2009-7-1 11:43:49

芯片shizheyangde

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