IC测试方法

liliheqing · 发表于 2009-7-11 09:13:15

楼上说的就是晶圆测试和成品验证吧?

opqr336 · 发表于 2009-7-16 20:45:57

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

applesweet · 发表于 2009-8-8 22:01:28

那请问什么情况下需要做cp测试呢？什么情况下不需要呢？

原帖由 kingfighters 于 2009-6-24 21:17 发表

 登录/注册后可看大图

都是要测试的。。。先测试FT。。看是否需要测试cp

applesweet · 发表于 2009-8-8 22:04:27

请问：那是不是如果package比较贵，就最好做post-package测试？
怎么确定封装之后的yield呢？

原帖由 emerlai 于 2009-6-25 11:04 发表

 登录/注册后可看大图

Depend on package package cost and yield, If good enough, then ft is enough.

applesweet · 发表于 2009-8-8 22:05:48

是: Circuit Probe, Final Test

原帖由 mekenny 于 2009-6-28 20:32 发表

 登录/注册后可看大图

请问IC测试中 CP/FT 是什么意思？

[ 本帖最后由 applesweet 于 2009-8-8 22:35 编辑 ]

applesweet · 发表于 2009-8-8 22:40:50

Final Test 不是直接在Wafer上做的吗？还是有Wafer Final Test, Package Fianl Test?
不明白为什么Package之后的FT相对CP要便宜？做post-pacakge test不是需要专门的ATE吗？如果真是便宜，那么就做post-package不就好了吗？

原帖由 orioncherry 于 2009-6-28 22:45 发表

 登录/注册后可看大图

一般会在Wafer上作CP测试，以及Triming（高端的Analog IC), package 之后，会作Final Test, 并且Package之后的FT测试相对Wafer Probe测试便宜。

applesweet · 发表于 2009-8-8 22:43:19

请问是出于什么的目的，在wafter测试和FT的时候用不同的温度和电压？
是对特定的某些工艺或者应用？

原帖由 sxs8 于 2009-7-18 12:38 发表

 登录/注册后可看大图

一般在wafer测试的时候，用一种温度，电压条件。final test的时候，用另外一种电压，温度。所以一般两个都要。
www.eequestion.com

sunxkechd · 发表于 2009-8-25 13:23:26

不大懂，好好学习一下

kelsey_se · 发表于 2013-6-24 12:18:31

学习了

贝壳 · 发表于 2013-6-28 09:35:14

回复 7# mekenny

Chip Probing:晶圆测试：CP

Final Test：最终测试：FT

opqr336 opqr336 当前离线积分 100 头像被屏蔽	发表于 2009-7-16 20:45:57 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
opqr336 opqr336 当前离线积分 100 头像被屏蔽	EETOP创芯人才网职位发布入口
	回复支持反对举报

IC测试方法

站长推荐 /1