设为首页收藏本站

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

切换到宽版

手机号码，快捷登录

创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师!

搜帖子

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 数字IC设计【ASIC|IC前端|FPGA】 › 数字IC设计讨论(IC前端|FPGA|ASIC) › ISE RAM核使用求助

发新帖

查看: 2265|回复: 0

ISE RAM核使用求助

发表于 2009-4-27 17:26:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

产生RAM核的时候，有三个选项：READ BEFORE WRITE、READ AFTER WRITE和NO READ ON WRITE，我想实现的功能是把所有不连续的数据全部存储之后再连续发出去，就选的最后一个方式“NO READ ON WRITE”，问题是：读出的时候是怎么实现的呢？因为我看到输出端口里面没有地址这一项，还有个问题：哪位有ISE RAM 核使用教程之类的册子？传一个，感激不尽！

相关帖子

回复

发新帖

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

关闭

站长推荐 /2

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-14 18:21 , Processed in 0.022789 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

快速回复 返回顶部 返回列表