vdsat&vov

gorilla_zhai

what is the difference between vdsat&vov in .list file of Hspice

icsb

一般来说，如果只考虑一阶效应
Vod=Vdsat，那么Vds>Vdsat，管子就工作在饱和区了，

上面的结论只对长沟道器件有效，大家现在一般做0.5u的process的话，就要考虑二阶效应了
此时，如果 Vds<Vdsat,工作在triode region，Vod close to Vdsat
                 Vds>Vdsat,工作在saturation region，Vod will bigger than Vdsat
那么你用Vod来设计你的电路，在不同的温度和corner下面就会有一个比较好的裕度，容易使管子工作在饱和区
以上是我的理解，欢迎大家指教！
大家可以参考  http://www.ece.uci.edu/docs/hspice/hspice_2001_2-162.html
大家手算时用Vod（Vgs-Vth）就可以了。

gorilla_zhai

Thank you!
I searched some resource and read the manual you provided.
Vod=Vgs-Vth
and Vdsat is calculated considering second-order effect.

研究生笑笑

长沟道器件，只需要考虑一阶效应，Vod(也有称做Vov, over-drive voltage)=Vgs-Vth≈Vdsat.
短沟道器件（<0.5um），需要考虑二阶效应， Vdsat是表征沟道pinch-off现象出现、电流饱和时的drain-source voltage, 此时有Vdsat<Vod， 当然Vod关系不变，还是Vod=Vgs-Vth。
Vdsat是各软件用来判断管子工作状态是否在饱和区的参数，关系为Vds>Vdsat。不过实际设计时一般要保证Vds-Vdsat>50mV，因为一是防止工艺误差或信号扰动导致管子状态偏移，二是饱和区边缘的rds小，本征增益差。合适余量在200mV，差分管因为共模抑制性好，余量可以放宽在100mV。
在仿真时一般只用管Vdsat，hand-calculation时一般只考虑Vod(也没有Vdsat).